再次感谢您向客户推广 TI FET。 RθJC 数据表中指定的是封装底部的选项卡、而不是顶部。对于 D2PAK 中的 CSD18542KTT、热阻 RθJC Ω(顶部)为~30°C/W 散热的主要路径是穿过凸片并进入安装 FET 的 PCB。 TO220中的 CSD18542KCS (相同的 FET 裸片)设计为连接到散热器。您能解释一下100W 的发热情况吗？这适用于单个 FET、多个 FET 还是系统？单个 FET 永远不会耗散100W。散热器上可能需要连接多个并联 FET 来耗散这么多的功率。您能否分享应用和要求？

此致、

John Wallace

TI FET 应用

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2782555 points

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您好、John-San、

感谢您的详细信息。

客户计划将两个 CSD18542KTT 与 LM25116结合使用。

客户最初计划结合使用两个 LM25116和两个 CSD18543Q3A、但被告知系统容量将从48W (12V/4A)更改为96W (12V/8A)。因此、我根据 RθJC 检查了结温是否会成为一个问题。然后、我建议使用 CSD18542KTT、因为 CSD18543Q3A 的结温会超过建议的温度。

然后客户询问应该使用哪种板面布局来实现与 RθJC Ω 相同的热阻、我在 E2E 上发布了这个主题。

此致、

Masa

0 admin 3 年多前

TI__Guru**** 2782555 points

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您好、Masa-San、

下面的链接是一个适用于同步降压转换器且基于 Excel 的 TI FET 选择工具。我对您的应用做出了一些假设、并使用该工具估算 MOSFET 功率损耗。我认为 CSD18542KTT 不是此应用的最佳选择。由于控制 FET 中的高功率损耗、性能不会很好。我推荐采用5x6mm SON 封装的 CSD18534Q5A。原始 CSD18543Q3A 看起来也正常工作。 IAM 将关闭此主题、并将通过电子邮件向您发送我为应用程序填写的电子表格。您可以试用该工具并对要求进行任何更改。

https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC

此致、

John

电源管理（参考译文帖）

电源管理（参考译文帖）(Read Only)

[参考译文] CSD18542KTT：热阻的 PCB 设计