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[参考译文] CSD18542KTT:热阻的 PCB 设计

Guru**** 645850 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18542KTT, CSD18542KCS, LM25116, CSD18543Q3A, CSD18534Q5A
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1177916/csd18542ktt-pcb-design-for-the-thermal-resistance

器件型号:CSD18542KTT
主题中讨论的其他器件: CSD18542KCSLM25116CSD18543Q3ACSD18534Q5A

大家好、团队、

关于以下主题、

CSD18542KTT:RθJC

我与客户讨论了热阻。

客户正在考虑使用 PCB 布局来散热、但他们不知道如何将其设计为能够承受100W 的热量。 我计算出、只要热阻为 RθJC Ω(0.6°C/W)、它就应该正常。 他们如何设计它以承受100W 的发热? 当然、我知道 RθJC 是结至顶部的热阻、而不是结至图案的热阻。

Masa

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    您好、Masa-San、

    再次感谢您向客户推广 TI FET。 RθJC 数据表中指定的是封装底部的选项卡、而不是顶部。 对于 D2PAK 中的 CSD18542KTT、热阻 RθJC Ω(顶部)为~30°C/W 散热的主要路径是穿过凸片并进入安装 FET 的 PCB。 TO220中的 CSD18542KCS (相同的 FET 裸片)设计为连接到散热器。 您能解释一下100W 的发热情况吗? 这适用于单个 FET、多个 FET 还是系统? 单个 FET 永远不会耗散100W。 散热器上可能需要连接多个并联 FET 来耗散这么多的功率。 您能否分享应用和要求?

    此致、

    John Wallace

    TI FET 应用

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    您好、John-San、

    感谢您的详细信息。

    客户计划将两个 CSD18542KTT 与 LM25116结合使用。

    客户最初计划结合使用两个 LM25116和两个 CSD18543Q3A、但被告知系统容量将从48W (12V/4A)更改为96W (12V/8A)。 因此、我根据 RθJC 检查了结温是否会成为一个问题。 然后、我建议使用 CSD18542KTT、因为 CSD18543Q3A 的结温会超过建议的温度。

    然后客户询问应该使用哪种板面布局来实现与 RθJC Ω 相同的热阻、我在 E2E 上发布了这个主题。

    此致、

    Masa

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    您好、Masa-San、

    下面的链接是一个适用于同步降压转换器且基于 Excel 的 TI FET 选择工具。 我对您的应用做出了一些假设、并使用该工具估算 MOSFET 功率损耗。 我认为 CSD18542KTT 不是此应用的最佳选择。 由于控制 FET 中的高功率损耗、性能不会很好。 我推荐采用5x6mm SON 封装的 CSD18534Q5A。 原始 CSD18543Q3A 看起来也正常工作。  IAM 将关闭此主题、并将通过电子邮件向您发送我为应用程序填写的电子表格。 您可以试用该工具并对要求进行任何更改。

    https://www.ti.com/tool/SYNC-BUCK-FET-LOSS-CALC

    此致、

    John