[参考译文] WEBENCH®︎工具/TPS40304：低温故障(可能是 OCP 过流保护)？

尊敬的 Ray：

感谢您的回答。

我将尝试重现故障、探测输出电压并查找断续条件...

同时、我计算的 OC 电阻器、在将 Iocset 考虑为8uA (值@-40c)、 甚至不减小 RDS 值后、我仍然看到 、对于我考虑的最大电流值(最大值17A、 虽然实际消耗量不超过12A)、但 ROC 等于4.5k Ω(原始值为4.7k Ω)。

您能否再次检查我的 ROC 值？

谢谢、

Oded

尊敬的 Ray：

您写道：

"如果增加 OCP 编程电阻可以解决该问题、那么这可能是有效的解决方案。"

但是如果我对罗克岛的攻击是可以的，我不明白什么是根本原因。

请告知、

Oded

尊敬的 Ray：

另一个问题。

1.使用3.3V 电源为 TPS40304供电是否会在低温下影响 OCP 功能？

关于 MOSFET、VGS 为2.45v (3.25V-0.8)时最大 RDS_ON 是多少？  此 MOSFET 是否适合 从3.3V 电压为 TPS40304供电的设计？   在这种情况下、6V 内部稳压器是否工作？

在  3.3V VDD 下运行时、顶部 MOSFET 栅极电压驱动是多少？

谢谢、

Oded

尊敬的 Ray：

我们重复 了 webench 仿真。

我们在-40c 和+50c 的温度下模拟了 VRM

仿真显示、在-40c 下、我们需要将 Roc 设置为7.5K 欧姆。

但是，我们仍然试图理解分频值。

1.您能否帮助解释如何使用给定的数据表公式计算 Roc？

2.您是否有关于 Vocset@-40的任何信息？ 数据表指定的值仅 为@25c.

用于仿真的参数

VIN=3.1v 至3.4v

Vout = 1.0V

Iout=17A

temp=-40c

TPS40304

谢谢、

Oded

Oded、

我负责 TPS40304器件支持、并将帮助解决此问题。 首先、您可以共享原理图。

1) 1)当您发现电路板有问题时、请移除数据表图14中的 R11并重新为电路板供电。 查看问题是否仍然存在。 如果问题消失 、我们可以缩小到低侧 FET 的 OCP 设置。 如果问题仍然存在、则我们发现问题的根本原因是固定高侧 OCP 限值。

高侧 FET 的 VOCH OC 阈值 TJ = 25°C 360 450 580mV

这些数值为25°C、温度系数为3000ppm/C

此致、

Mathew

尊敬的 Mathew：

感谢您的回答。

关于您的问题、

否、我没有将 VDD 和 BP 引脚短接。 BP 引脚 连接 到旁路电容器(1uF)接地。

数据表中是否有这样做的建议？ 请给我指出。 (BTW、它也不在 webench 仿真中)

我将尝试这样做。

谢谢、

Oded

Oded、

数据表中没有建议、但可以进行测试。 由于 输入电压较低、因此您似乎没有为 FET Vgs 留出余量。 通过短接 VDD 和 BP 引脚、您可以移除内部稳压器的压降。 我已经准备好了 FET、应该在1-2天内准备好 EVM、并将在-40°C 时进行测试。

尊敬的 Mathew：

非常感谢您的帮助。

您还能参考我之前提出的问题吗？

我们已经预制了 webench 仿真@-40c、并得到 THR ROC 应为7.5K。

我们还在温度室中的故障电路板上检查了该解决方案、并再现了该问题。

您能否帮助了解如何  根据 数据表中给定的毛刺计算相同的值(7.5K)？ 这将有助于我们说服客户参与提议的变革。

您是否还能澄清-40c 中的 Vocset 值？

非常感谢、

Oded

Mathew、您好！

您能否确定高侧 FET 的电流到底是如何感测的？

是否可以将 VDD 连接到更高的电压(例如5V)、其中功率级的输入电压将更低 (3.3V)？

此致、

Alon Blumenfeld

尊敬的 Mathew：

感谢您的回复、

原理图仅显示 VRM 输出中的2个电容器，即1210X107K100SNT。

但是、在负载附近还有额外的电容器(请记住、负载 仅与7cm 远)：

6 x 100uF。

41 x 100nF

Oded、

那是可以的。 我在 EVM 上进行了测试、电流限制公式与您使用的特定 FET 的 Vin>5V 相匹配。 当输入电压<5V 时、最大输出电流会降低相当多。 现在正在修改您的值、并将进行测试。

FET 数据表上有一条曲线，这很有趣。