尊敬的所有人
我将使用 UCC2813-5开发该产品。
(输入:交流50V 或直流50V +/- 30%
输出:5V/12A (60W)
已根据 TI Webench 提出的电路编写了一份电路图、我已经检查了示意图。
由于我不是电源专家、电源专家将查看电路图并查看任何修复或修改。
谢谢您和 BR
PJ
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
尊敬的所有人
我将使用 UCC2813-5开发该产品。
(输入:交流50V 或直流50V +/- 30%
输出:5V/12A (60W)
已根据 TI Webench 提出的电路编写了一份电路图、我已经检查了示意图。
由于我不是电源专家、电源专家将查看电路图并查看任何修复或修改。
谢谢您和 BR
PJ
您好 PJ、
感谢您考虑使用 UCC2813-5并提供原理图。 我需要一些时间来审查它、我可能无法在下周初之前作出充分的回应。
我现在可以指出的一点是:50Vac 输入的峰值电压为70.7V (标称值的+41.4%)、而直流输入规格仅为50V +/-30%、因此标称交流输入已经超过了65V 的最大直流规格。 并且交流输入没有指定容差限制。
请调整这些输入规格、使它们都具有允许的容差、并且它们不会相互冲突。
此致、
Ulrich
尊敬的 Ulrich
感谢您的合作。
我已就你的意见作出答复。
我有一些问题。
Q1:UCC2813 VCC 电平是3.8V,是这样吗? (如果 Rstartup vaule 从10K 更改为47k、则 VCC 电平不变)
Q2:如果输出电平为4V,则 MOSFET 工作正常。 但输出电平始终约为2V。 为什么?
我们的 schudles 非常紧迫、因此请尽快通知我改进情况。
有关测试数据和、请参阅已连接的文件
谢谢、BR
PJ
============================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================================e2e.ti.com/.../UCC2813D_2D00_5_5F00_test_5F00_data_5F00_hpj.pptx
根据您的测试数据 Q2栅极电压(#5)、我可以看到 Q2 MOSFET (FDB2614)无法在<2V 时导通。 很抱歉、我以前没有意识到这个问题。 但 UCC2813-5尝试从4.1V 开始、输出电平仅为大约2V、无法驱动正常的 MOSFET。 此 MOSFET 需要大于3V 的栅极电压、通常为4~5V 才能正确导通。
屏幕截图#4显示漏极上没有开关、因为 MOSFET 无法导通。
=>那是`s 对的。 MOSFET 已死、因此我更改了新器件、
但 UCC2813 VCC 不会充电超过5V、因此 OUT 端口电平较低(4~5V)
此处有2个基本选项可供选择:
1.将控制器更改为 UCC2813-1或 UCC2813-4等电压更高的器件以驱动常规 MOSFET,但变压器匝数比也必须更改或
2.将 MOSFET 更改为逻辑电平 MOSFET (如 FQB34N20L)、该 MOSFET 可在1~2Vgs 时导通。 此选项不需要更改控制器和变压器。 请注意:该 FET 的 RDS (on)为75mR、而 FDB2614为22mR。 注意温度上升。
我建议在短期内选择方案2、以使设计在其大部分操作中运行和调试。 然后、您可以决定保持这种状态、或者更改控制器和变压器匝数比以使用具有较低 RDS (on)的更高栅极电压 MOSFET。
另一个问题:为什么将 RC 电阻器从10K 更改为33K? 变压器电感是根据开关频率设计的、将 Fsw 降低~3可能会导致变压器饱和。 我建议将 R1改回10K。 该值使振荡器以~100kHz 的频率运行、但 UCC2813-5控制器中50%占空比限制触发器使得最终开关频率=~50kHz。 (R1上的33k 会使 Fsw =约16.7kHz。)
=>我已更改 R 值(33K -> 10K)
屏幕截图#3) RC (pin4)看起来不正确。 我认为由于示波器的采样率较低、会出现混叠。 要查看在示波器扫描速度较慢时的高频开关、您需要提高采样率。 照片#5和#6也是如此。
例如、在屏幕截图2-5中、时间扫描为100ms/div、采样率为100kS/s 这意味着每分段有10k 个样本、= 10ks/100ms = 1S/10us。 屏幕截图#3看起来像是 R1 = 10K、因此 Fosc = 100kHz 或10us 周期。 每10us 采样1次时、RC 波形将在每个周期几乎相同的点进行采样、因此它看起来像您在测试数据中显示的极低6.9Hz 信号。 较高的采样率(和较快的扫描速度)应显示真正的开关频率。
此致、
Ulrich