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[参考译文] TPS63020:底部 MOSFET (L1半桥)故障

Guru**** 2328790 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS63020
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/606592/tps63020-failure-of-the-bottom-mosfet-l1-half-bridge

器件型号:TPS63020

您好!

TPS63020用于为调制解调器2/3G 供电

输入电压为5Vdc、 Vout =3.6Vdc

输出电容:Cout=1 000µF 6.3V

这是一个新的电子板、但之前的版本是在200、000件以上的产品中制造而不会出现故障(由质量部门升级)
在新产品上、在首次电气测试后、平均250个产品中有4个是短路 L1/GND。


两个版本之间的布局和布局没有变化

测试台正在调查其行为。

我想讨论 L1 MOSFET 底部故障的原因:
-如果使能输入 在测试阶段浮动并且向 VIN 施加电压
-如果电压仅施加到输出电压
-快速 打开/关闭
-快速时隙中的降压和升压通道更好
- MOSFET RSOA (数据表中的注释)

-等等...

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    如果 L1发生故障、我认为最有可能是由于过压情况。 例如、如果电源电缆具有显著的电感、则可能是由于快速导通和关断导致的。
    该器件旨在仅在 VOUT 上具有电压。 它可以从降压转换为升压运行、逐周期变化。 如果 EN 悬空、则为 ON 或 OFF、但不应因此而损坏。