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[参考译文] LM3409HV：通过高输入电压降低内部功耗

admin
Guru**** 2328790 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/606259/lm3409hv-internal-power-dissipation-reduction-with-high-vin

器件型号：LM3409HV

尊敬的 TI

是否可以通过二极管将上述器件的 Vcc 馈入外部源？

当  外部  MOSFET 的高输入电压、高开关频率和高 Qg 导致内部耗散过高时、我之前在其他几个器件上使用过该技术来降低内部耗散

非常感谢

James

  • 0
    TI__Guru**** 2328790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 James、

    我将与 IC 设计人员进行仔细检查、以确保正确、但如果我记得、您无法使用该器件从外部驱动 VCC、因为它以 VIN 为基准而不是以接地为基准。 如果回答不正确、我会以不同的方式告知您。

    此致、

    克林特

  • 0
    TI__Guru**** 2328790 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    谢谢您、Clint
    这是合理的、因为默认配置中 Vcc 上的电容以 Vin 为基准。 我认为我找到了一个合适的具有低得多 Qg 的 FET、这将有所帮助。
    此致
    James