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[参考译文] TPS92515HVEVM-749:仿真与实现

Guru**** 2328790 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS92515HVEVM-749
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/606057/tps92515hvevm-749-simulation-vs-implementation

器件型号:TPS92515HVEVM-749

您好!

我一直在评估 TPS92515HVEVM-749。 我根据数据表修改了电路以执行分流 PWM 和模拟调光(放置二极管、电阻器和 POT)。 然而、当我执行分流 FET 时、我可以在信号被打开时的第一个时看到振荡。 根据 EVM 数据表选择 R_off2的建议值309k 时、我认为没有正确为 COFF 充电。 在此测试中、我放置了一个具有0.25m Ω RDS (on)的外部 NFET、并进行计算以找到正确的 R_off2。

我应该放置一个缓冲电路吗? 组装(R8和 C10)

实验设置:

 请查看我上传的图片:

谢谢、

YO Shua

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    您好、Yo、

    我猜您正在向我展示分流 FET PWM LED 电压的边缘? LED 电流如何? 这将是重要规格、振铃可能与电压不同。 时基似乎表明了这一点。 在任何情况下、您都需要考虑以下几点:

    您提到的缓冲器位于整流器二极管两端。 如果需要缓冲开关节点以满足某些 EMI 要求、则会放置这些封装。 如果您谈论的是输出电压和/或电流上的振铃、它将不会做太多。 如果出于某种原因需要消除这两种情况、则需要在输出端使用 RC 缓冲器、并针对特定负载的寄生效应进行调整。

    2.计算 Roff2可能有点棘手,只会使您接近。 您将需要在与电感器串联的线环上放置一个电流探头、并调整 Roff2、直到 FET 关闭时电感器电流纹波与 FET 打开时相同。 由于存在容差、通常需要进行一些改进。

    并联 FET 调光性能非常高、但通常需要一些工作台才能进行优化。

    此致、

    克林特

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    因此、我尝试使用工作台上的任何内容。 我使用万用表的分流电阻器来测量其电流(我知道这是一个错误的设置)、但我只想查看其波形是什么样的。 由于万用表的分流器放在+上、我尝试探测其差分电压。

    我得到了以下结果:(黑色:输出电流、棕色:输出电压)

    我仍然可以看到大量振铃和电流的行为不正确(我假设我应该将 Rsense 放在(-)一侧)。 为了更好地理解、我应该使用电流探头吗? 此外、改善振铃的下一步是什么? 这是正常的吗? 此外、恐怕其电压会损坏内部 NFET (最大 DRN-SW 为65V。

    此致、

    YO Shua

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    您好、Yo、

    最好使用具有极短导线环路的电流探头。 但是的、振铃是真实的。 它是由分流 FET 和 LED 之间的寄生电感引起的、如果仿真包含任何寄生效应、它将显示这一点。

    当分流 FET 变暗时、可以通过将分流 FET 直接放置在 LED 旁边来消除大多数振铃、从而更大限度地降低寄生电感。 如果这是不可能的并且/或者没有足够减少振铃、那么正如我提到的、您需要在分流 FET 上放置一个 RC 缓冲器。 需要针对您的特定负载对其进行调整、您可以使用一个来显著改善振铃。

    至于损坏、根据电感器特性(如果其 SRF 较低)、可能会在 DRN-SW 处看到尖峰、但可能会降低。 但通常、损坏器件比损坏分流 FET 更不用担心。

    此致、

    克林特