您好!
我一直在评估 TPS92515HVEVM-749。 我根据数据表修改了电路以执行分流 PWM 和模拟调光(放置二极管、电阻器和 POT)。 然而、当我执行分流 FET 时、我可以在信号被打开时的第一个时看到振荡。 根据 EVM 数据表选择 R_off2的建议值309k 时、我认为没有正确为 COFF 充电。 在此测试中、我放置了一个具有0.25m Ω RDS (on)的外部 NFET、并进行计算以找到正确的 R_off2。
我应该放置一个缓冲电路吗? 组装(R8和 C10)
实验设置:
谢谢、
YO Shua