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器件型号:TPS40170-Q1 你好
当我们选择外部 FET 时、是否需要添加双向齐纳二极管来保护高侧 FET 栅极-源极?
因为 我们尝试使用的 FET 的 VGS 最大额定 电压为+/- 20V 、这与您的 EVM 板使用的电压相同。 但 Vin 可高达60V、这意味着在 SW 节点中、在导通期间、电势将为60V、 而 HDRV 最大值约为8V。 它们 的电压差 约为52V、大于 高侧 FET 的 VGS 最大额定值。
低侧 FET。 我们是否还需要一些保护组件来保护它免受损坏?
(在您的 EVM 板中 没有此类保护。 且没有有关 FET 保护的相关注释)。
输入电压:16-48V
输出电压:3.3V
Iout=8V
FSW=250kHz
谢谢。