[参考译文] TPS40170-Q1：外部 FET 保护

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/605773/tps40170-q1-external-fet-protection

你好

当我们选择外部 FET 时、是否需要添加双向齐纳二极管来保护高侧 FET 栅极-源极？

因为 我们尝试使用的 FET 的 VGS 最大额定 电压为+/- 20V 、这与您的 EVM 板使用的电压相同。 但 Vin 可高达60V、这意味着在 SW 节点中、在导通期间、电势将为60V、 而 HDRV 最大值约为8V。  它们 的电压差 约为52V、大于  高侧 FET 的 VGS 最大额定值。

低侧 FET。 我们是否还需要一些保护组件来保护它免受损坏？

(在您的 EVM 板中 没有此类保护。 且没有有关 FET 保护的相关注释)。

一些附加信息

输入电压：16-48V

输出电压：3.3V

Iout=8V

FSW=250kHz

谢谢。