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[参考译文] CSD13380F3:请求获取 CSD13380F3的 IDSS 漏源泄漏电流与 VDS 和温度范围的关系图。

Guru**** 2372160 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD13380F3
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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/602907/csd13380f3-request-for-a-graph-of-idss-drain-to-source-leakage-current-vs-vds-and-temperature-range-for-csd13380f3

器件型号:CSD13380F3

我想获得  一张 CSD13380F3的 IDSS 漏源泄漏电流与 VDS 和温度范围的关系图。 提前感谢。

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    这不是我们通常共享的信息。 您能帮助我了解为什么需要此功能吗? 然后、我们可能需要使该对话脱机。
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    您好、Bertt、  

            在为 物联网应用设计基于电池/能量收集的高效、超低泄漏负载开关电路时、需要这些信息。 TI 的 MOSFET CSD13380F3几乎完全符合要求、但我没有所需的信息来实现稳健的 SOA 设计并在其10年的使用寿命内保证性能。  

    谢谢、

    -Krish

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    谢谢 Krish、
    问题是、除了数据表中提供的情况外、我们无法对泄漏做出任何保证、当然也不能在温度或寿命范围内做出保证。
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    Brett、 您是否了解数据表中 MAX 额定值的含义? 这意味着在测试条件下保证的数值不会超过。 如果数据表未涵盖特定技术特征的整个工作温度范围、除非您拥有自己的测试设备来获得这些 特性、否则无法可靠地设计电路。 希望 您了解这些基础知识。

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    Krish、
    是的、我明白。 我唯一要说明的是、除了数据表中提供的信息外、我们通常不会共享任何其他信息、因为我们不愿意保证数据表泄漏电流值之外的任何其他值、这些泄漏电流值是在 Ta = 25deg 且 Vds @ 80%的条件下指定的 击穿(在本例中为9.6V)。

    请直接向我发送电子邮件、以便我们可以离线讨论。