[参考译文] UCC27531：UCC27531：适用于向受测器件施加过压/欠压的解决方案

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/604871/ucc27531-ucc27531-suitable-solution-to-apply-overvoltage-undervoltage-to-device-under-test

器件型号：UCC27531

尊敬的所有人：

对于我正在设计的测试夹具、我必须具有一些会在被测器件上导致过压的电路。我的板上有一些可编程电源、因此该部件在保修范围内。现在、我需要通过微控制器信号来连接该电源。我提出了以下内容：

现在的大问题是：它能起作用吗？在该电路中、我具有：

VIO = 3V3 (固定)

UV_OV_VDD = 10...20V (固定)

V_OV = 0... 20V (可通过 uC 编程)

V_UV = 0...20V (可通过 uC 编程)

UV_OV_GND = GND

OV_FORCE_EN 和 UV_FORCE_EN 连接到 UC IO。

OV_FORCE 和 UV_FORCE 将连接到被测器件。

MOSFET 关断时、电路不会影响 DUT 非常重要。我是否会满足此要求？我担心的另一件事是充电电流(部分)是否会流入/流出 DUT？

激活欠压或过压条件应在<1ms 内发生。

感谢您的任何建议或意见！

8 年多前

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2325560 points

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Niels、

就我所能说的、您的电路看起来会正常工作。我想、所示的 UV_OV_VDD 电容器是旁路电容器、旨在放置在非常靠近隔离器和栅极驱动器 VDD 引脚的位置。

就不影响 DUT 而言、添加此电路会导致一些泄漏和电容。希望它可以保持可忽略不计。

请注意、对于 MOSFET 的快速/强导通、~10V 的 VGS 最好。因此、为了获得最佳结果、UV_OV_VDD 电源与 V_OV 和 V_UV 电源之间应存在足够的开销。

您对电路中的 TI 产品 UCC27531有任何疑问吗？

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Daniel

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2325560 points

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感谢您的快速响应！这些 UV_OV_VDD 电容器确实是旁路电容器、可放置在靠近 IC 的位置。
关于 UCC27531、我对数据表中的这条陈述感到有点紧张："应尽可能减小导通和关断电流环路路径(驱动器器件、电源开关和 VDD 旁路电容器)、以便将杂散电感保持在最低水平。这些环路在两个实例中建立了高 di/dt–在开通和关断瞬态期间、这会在驱动器器件的输出引脚和电源开关的栅极上引起显著的电压瞬变"
由于在我的应用中、数据表(图48)中的布局示例不适用、我对这些充电/放电电流路径有点担心。电流路径是否包括 DUT？如何使布局尽可能适合我的应用？

0 admin 8 年多前

TI__Guru**** 2325560 points

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Niels、

错过了昨天可能对您有所影响的重要内容。您的电路需要进行一些更改。 驱动器 GND 引脚必须连接到 MOSFET 源极、以便为栅极电流提供返回路径。这将使环路保持合理的短路、并使任何栅极驱动电流从流入 DUT。

由于这些是高侧开关、这意味着每个驱动器都需要一个浮动电源。每个 V_UV 和 V_OV 都需要自己的返回接地、相对于其他电源浮动。对于每个电源、该返回接地应直接连接到相应 MOSFET 之一的源极。

我希望我能在这个帖子中正确地传达我的建议。如果您有任何疑问、请告知我们。

此致、

Daniel

电源管理（参考译文帖）

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