This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS61196:如何减少 Q1上的热量和占空比问题

Guru**** 2325560 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/602552/tps61196-how-to-reduce-heat-on-q1-and-duty-cycle-question

器件型号:TPS61196

嗨、大家好、

我的开关 FET 变得非常热、我的散热器必须很大、这使我认为我做了一些错误。  

这种架构的本质是什么? 所有热量都在 FET 中(STP70N10F4 在60A 下具有 Rdson 0.0195欧姆)。 我看到占空比大约为75%(在 GDRV 处测量)、这与用于调节输出电容大小的公式相匹配。 我明白这意味着我的电源拉电流在此时间段内会分流到地面(您能确认吗?)。 我可以增大输入电压以帮助解决问题(从12伏变为24V)。 我想知道是否有其他设计改进或您可能了解的常见技巧或其他? 我在上使用了2种设计。 一个功率为10瓦、一切都很好、很酷。 我的50W 设计需要在 FET 上使用大量散热器。 这两种设计都优化了布线平面、并对电源路径进行了其他考虑。 这两种设计都是稳定的、并且开关一致。 我的 R7的大小略高于 I (LDC)+I (LPP)。 感谢您的任何评论。  

谢谢!

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Jacob、

    基本上、可以通过多种方法来降低 MOSFET 上的功率损耗。 为了降低导电损耗、低 RDS (on) MOSFET 是一个很好的选择、您已经这样做了。 为了降低开关损耗、您可以降低开关频率。 为了减少开通/关断损耗、您可以加快开通和关断速度。 例如、您可以减小驱动电阻器值、也可以添加一个与驱动电阻器并联的二极管以加速关断速度。 希望这能对您有所帮助。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    大家好、感谢您的回复。 您是否意味着由于开启/关闭损耗而导致过热? 我可以使用 R19运行一个实验、看看会发生什么情况。

    当它打开时、我有~3.5A 流经 L1、Q1、R7的电流。 我还将构建一个电路、并通过同一个网络耗散3.5A 电流、并查看在没有开关的情况下热性能如何比较。