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[参考译文] BQ24296MEVM-655:升压电压降至100mA

Guru**** 2350610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ24296, BQ24296M, BQ25895M, BQ25895, EV2400, BQSTUDIO
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/596767/bq24296mevm-655-boost-voltage-drops-at-100ma

器件型号:BQ24296MEVM-655
主题中讨论的其他器件:BQ24296BQ24296MBQ25895MBQ25895EV2400BQSTUDIO

我将在 BQ24296EVM 上驱动 BQ24296 -在升压模式下、我只能在电压下降之前从它中获得100mA 的电流。

0-1000mA 之间的电压变化应该是多少?

开始时、我使用 JP7 /CE 上的绑带为连接的锂离子电池充电。 锂离子电池可充电至4.22V、并且已充满电几个小时。  

我断开输入电压上的电源、移除 JP7 /CE 并 将电压表压降为0

REG00-09   0x37 0x1b 0x60  0x11 0xb2 0x8c 0x73  0x4b 0x84 0x0

然后、我将其置于升压模式、写入 BOOST REG01[54]=10、这将打开升压、Vin 变为5V

然后、我写入 EN_Term Reg05[7]= 0、因此不会终止

0x37 0x2b 0x60  0x11 0xb2 0x0c 0x73  0x4b 0xc0 0x0

然后、我施加增加的负载-对于以下负载= Vin (升压)、 NoLoad=4.97V、63mA=5.01V 100mA=4.57V、209mA=4.56V 500mA=4.52V 4.45V=1000mA Lion 启动~4.2V 电池已充电并在负载=1A 时降至4.0V

读取空载 REG00-09 (两次)

0x37 0x20 0x60  0x11 0xb2 0x0c 0x73  0x4b 0xc0 0x0

200mA REG 读取

0x37 0x20 0x60  0x11 0xb2 0x0c 0x73  0x4b 0xc0 0x0

1A 负载、锂离子~ 3.95V 且 电压寄存器读取

0x37 0x20 0x60  0x11 0xb2 0x0c 0x73  0x4b 0xc0 0x0

电感器 IHLP2020ABER1R0M01 4.4A 46mΩ 似乎是为此而指定的。

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    您在哪里测量升压电压? 您使用了什么升压负载?

    谢谢!
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    大家好、我在 Vin 上测量它、我在 PMID/TP2上使用负载重复测量

    我移除了正在充电的电源-如上所述-然后更新 I2C 寄存器以置于升压模式、读取电压以验证升压是否正常运行、然后施加敏感负载。

    负载与大负荷 可变75W 电阻器串联为4 Ω/50W。

    我调节从79欧姆开始的负载、使用 A 系列仪表和电压表测量电流。

    我已经探测了 TP5/Bat,以查看是否有任何纹波-但看不到任何纹波。 电路板上只有 C7/10uF 电容器 C18、19、20不在电路板上。

    在我尝试决定如何生成 BQ24296M 所说的1A@5V 电压时、如果有任何见解、请加以理解。  

    对于 BQ24296M 中的所有 I2C/监控功能、似乎很奇怪、没有故障情况表明产生的电压超出请求的范围。

    谢谢

    (添加了测试设置图片)

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    请参阅 EVM 用户指南 P9、6. 切换到升压模式、OTG 负载应连接到 J2 (PMID+和 GND-)并测量 TP2处的 PMID 电压。 请勿对 TP2应用 OTG 负载。 谢谢!
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    很抱歉,我非常尊敬地遵循了 EVM 用户指南 PG9 Sect 6(c)。 我将负载以电气方式连接到 PMID+和 GND-。
    J2 PMID+/TP2在电气方面与电路板电路图和目视检查中的点相同。
    我真的不清楚您的方向。

    我使用特定的 TI 提供的 EVM 模块来明确遵循手册。
    我假设"Enable OTG"选项 GUI 映射到向 OTG_CONFIG/CHG_CONFIG REG01[bit5bit4]写入10
    bq24296M 寄存器中的"OTG 低电平"框 GUI 映射到哪个位?

    实际上、我还看到输出信号的不稳定程度比我说过的要高。
    我发现我是否在施加负载之前首先启动 OTG 升压、它是否正常工作。
    如果我先连接负载、我已经看到 PMID 电压在升压/降压时振荡。

    谢谢
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    我们本视频将讨论 OTG 模式(也称为升压模式)、即 VBAT 作为输入、VBUS/PMMID 作为输出。
    OTG 低电平不会链接到任何寄存器位、它提供了一种将 OTG 引脚电压拉低或拉高的便捷方法。 当 REG01[5]= 1且 OTG 引脚为高电平时、升压模式被激活。
    该器件支持高达1.5A 的 OTG 负载。 参阅8.3.5.4.1的 d/s、可实现 Q1和 Q3过流保护。 如果触发了这些过流保护、则器件的行为与正常运行有所不同。
    如果有此帮助、请检查验证答案。
    谢谢!
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    大家好、这对我来说绝对不能解决问题。 我已经使用 bq24296延迟了我的硬件设计、直到我能够验证它的功能或者找到一个相似的器件。
    无论如何、我不会触发过流保护。
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    大家好、我手头上没有发现296M EVM 有任何问题。

    1) 1)您是否尝试 过其他 全新的 EVM? 您是否有类似的行为?

    2) 2)请断开实际电池。 只需使用实验室电源通过大容量电容支持 VBAT 电压、您就可以将 VBAT 设置为4.5V、 然后根据 用户指南 P9、6尝试 OTG 模式。 切换到升压模式。  在 PMID 具有5V 输出后、然后 逐渐 增加 电阻器负载@ PMID、 请检查您是否获得不同的结果。

    谢谢!  

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    我已购买 bq25895EVM。
    尽管在查看这些选项时感觉像是雷区、但 EVM 策略~ HW EVM 和 Studio 看起来很不好。
    此外、我还没有弄清楚 bq25895和 bq25895M 之间的区别
    EV2300没有连接到296M EVM 的直接插件电缆、适用于 bq25895EVM。 是的!
    bq2589xEVM 手册在引用 bq2589xEVM Battery Management Studio 时出错。 很难找到 BMstudio 软件。 那么、很难确定驱动程序。 例如、BMstudio 的下载页面没有参考。
    最后、深入探究后、发现 EV2300具有适用于 Windows 10的不受支持的驱动程序。 EV2300在任何地方都没有说明这一点。
    然后、EV2400的价格是 EV2300的两倍、但不清楚原因。
    好的、天哪、尝试评估 bq 系列在策略中确实存在很多缺陷。
    总的来说、我有一个 BMstudio v1.3.54.1/Windows10读取 bq25895器件-但我很幸运、它在某种程度上对我有用。

    现在、我实际上可以尝试评估 bq25895EVM 是否会为额定电流生成升压电压、这与'296M EVM 从未为我提供过的电流类似。
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    感谢您的更新。 对于 EV2300、请随意 安装EV2300a_Device_Driver_Installer_Multilanguage.exe 并重试。 有关更多详细信息、请访问 https://e2e.ti.com/support/power_management/battery_management/f/180/t/128220

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    谢谢-我确实与 bq25895Evm 通信、并让它进行充电/OTG 生成。

    bqStudio 非常适合了解 bq25895的相关知识。 现在、我已将其连接到驱动 I2C 的目标、并查看我需要的控制算法。 很不好!!!!  

    是否有任何文档标识了 bq2589x 系列的所有成员及其差异。 谢谢

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    您的 bq2589x 相关问题已在 http://e2e.ti.com/support/power_management/battery_management/f/179/p/616316/2271155#2271155上解答。 谢谢!