您好！
我们尝试将 LM27222用作标准推挽驱动器、将两个 N 沟道 FET 驱动到2A 的负载中。 PWM 引脚的输入为直流或脉冲-脉冲时、其频率为~ 100Hz、高周期为~100usec。 输出开关需要快速、在 PWM 输入上升/下降沿的100nsec 内变化。 VCC 和 PWM 输入电平为5V。 高侧 MOSFET Vin 也是5V。
我的问题是：
1) 1)器件能否处理此类开关、因为数据表主要打算仅在降压稳压 器配置中显示此情况。
2) 2)我们将选择低 Rdson MOSFET (~40m Ω)、以最大程度地减小高 MOSFET 上的压降、并在输出端出现几乎5V 的电压。 这是可以的吗？
3) 3)开关节点 SW 上不应存在 L/C 配置。 输出应直接馈入负载。 这是可以的吗？
此致
高拉夫
您好 Richard、
感谢您的参与。 我附上了我们要实现的目标的原理图。 还列出了所有组件值。 MOSFET PMV45EN2R 的总栅极电荷最大为6.3nC、而二极管是肖特基二极管、电流为2A 时的额定压降为470mV。 在开关时间方面、由于器件延迟较低且上升/下降时间较短、因此我看不到任何问题。
但是、如前面所述、输入可能会脉冲、甚至可能是连续高电平/低电平。 这应该正好反映在输出上、并且我们希望输出电压尽可能接近5V (MOSFET 的 Rdson 为~50m Ω)。 如果可以的话，这就是我需要你更加明确的地方。 如果不是、我们也欢迎您建议使用任何其他 TI 器件来实现我们所需的输出。
此致
高拉夫
尊敬的 Richard：
我们订购了数据表中列出的 SN6505B 和变压器器件750315371、并根据您在此主题中给出的 Visio 电路进行了测试。
结果如下：
1) 1)变压器提供~6.3V 的输出、输入 VCC 为5.3V、但应为1：1。 根据 SN6505B 数据表图11、在轻负载条件下可能会出现这种情况。 我不认为这是一个问题、因为 LM27222 CB 引脚可以处理该电压。
2) 2)我们现在能够在 MOSFET 之后实现连续的直流输出、并按照您的建议使用此浮动源进行自举。 因此、这工作正常。
3) 3)当给定脉冲输入时、在0.1uF 至1uF 的不同容性负载条件下测量输出。 随着容性负载的变化、输出上升时间和下降时间几乎相似、但有两个问题-
a)输出缓慢上升、持续时间几乎为2微秒-即使电容负载为最大或最小值、也保持不变。使用的 MOSFET 为 STN3NF06L、Ciss = 340pF、RDS on ~ 100m Ω。 我们需要大约500-600ns 的最大开关时间。 下降时间转换看起来正常。
B)在所有情况下都有很多振铃。 我们尝试使用从 IC HG/LG 到 MOSFET 栅极的高达10欧姆的串联电阻、但没有使用。
您能回答以上问题吗？
此致
高拉夫
