你(们)好
我们正在为基于 FPGA 的系统设计电源部分:应用(医疗)。
Q1: 我需要将12v 直流电压转换为+150v 直流电压和-150v 直流电压、最大额定电流应为0.5A。有人建议使用任何基于 IC 的解决方案吗?
Q2: 如果没有基于 IC 的解决方案, 我是否必须使用反向降压/升压拓扑?还是反激式?
Q3: TI 是否已在该配置中进行任何 SMPS 设计?
VIN=12V Vout1 =+150V Vout2=-150 Iout (max)=0.5A
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
你(们)好
我们正在为基于 FPGA 的系统设计电源部分:应用(医疗)。
Q1: 我需要将12v 直流电压转换为+150v 直流电压和-150v 直流电压、最大额定电流应为0.5A。有人建议使用任何基于 IC 的解决方案吗?
Q2: 如果没有基于 IC 的解决方案, 我是否必须使用反向降压/升压拓扑?还是反激式?
Q3: TI 是否已在该配置中进行任何 SMPS 设计?
VIN=12V Vout1 =+150V Vout2=-150 Iout (max)=0.5A
Devith、有趣的应用、感谢您发帖。
TI 没有任何接近您所需的参考设计。
150V、 0.5A=75W
2x=150W
150W / 80%效率= 185W 输入
从12V = 15.5Amps 平均值计算、功率为185W、峰值接近该值的2倍或30安培。
此外、从12Vin 到150Vout、升压占空比将非常高、在我看来过高。
占空比=1-(Vin x Eff)/Vout= 94%,太高。
因此、需要使用变压器来帮助进行电压转换。
最好是反激式或正向转换器。
对于反激式器件、185W 功率太大。
您可以制作2个反激式电源、一个用于+150V 75W、一个用于-150V 75W。
负电源将需要光伏或反馈逆变器电路。
反激式拓扑可以使+150V @ 75W。
对于-150V 75W、反激式也可以工作、但使用光隔离器进行反馈。
有许多控制器可用于反激式。
从拓扑中的此链路中、选择反激。
PMP7127不是公开的、接近于您的需求。
输入电压为20-28V、电流为600mA 时输出电压为-120V。
这使用运算放大器对–Vout 进行电平转换、以馈送到 TPS40210控制器。
也可以复制输出以生成+120Vout、修改运算放大器电平转换器。
这些是一些想法。
e2e.ti.com/.../PMP7127RevA.pdfe2e.ti.com/.../5732.PMP7127RevA.pdf
尊敬的 EdWalker:
首先 ,非常感谢您的宝贵意见。
我仍然感到困惑
Q1:在反 激式和反相降压/升压之间进行选择时、shold 始终在哪里?
Q2:如何将反激式+150的输出反相至-150V?
问题3:可能是我错了
占空比=1-(Vin*k η Ω)/(Vout=94%
如果我使用555 IC 和升压拓扑来实现顿= 18的 PWM、以获得+150V 的电压、并使用反相降压升压来获得-150V 的电压、无论 这是否起作用?
(说我不 想在设计中使用变压器)?
2、假设我使用的输入电源为12Vin、80A (其他模块的通用电源、这就是为什么要使用80A) 、我将负载电流降低了+150V 至100mA、从而 将-150mA 降至100mA
我的新电源要求
P=15W*2=30W
现在 、我是否可以使用2个升压转换器
尊敬的 Edwalker
再次感谢您的宝贵建议。 由于应用对噪声至关重要、因此我必须考虑两次才能采用基于变压器的设计。
从您的建议中、我了解 到我可以使用一个电源开关来处理超过162V 的余量尖峰。 两个独立电源
Vout1 = +150V、使用 TPS42010和功率 MOSFET IRFS4227pbF (VDS 最大200V VDS (雪崩)典型值。 240 V RDS (on)典型值 @ 10V 22 mΩ IRP max @ TC= 100°C 130A )---升压拓扑
Vout2 = -150V 、使用 TPS42010 和功率 MOSFET IRF9640 (VDS =-200V RDS (on)典型值 @ 10V 50mΩ )----- 降压/升压拓扑
(我也会在 我的团队中参考您的建议,即使用中心抽头反激式拓扑的单个功率级)
再次感谢大家
此致
DEVITH T