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[参考译文] TPS2400:浪涌电流不限制 AD 预期

Guru**** 2366340 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS2400
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/635920/tps2400-inrush-current-not-limited-ad-expected

器件型号:TPS2400

尊敬的 TI 小组:

 

我正在评估 SLVA163应用手册、图 3、这是一种基本方案、用于通过 TPS2400为我的电路提供 UV 和 OV 保护。

 

当标称输入电压为24V 直流、Cout=680uF 且 Rout=360R 作为输出负载时、I SET:

-r1=100k、r2=30k、以获得大约15V 的 UV 和大约32V 的 OV 保护;

-Q2=试验 PBHV8540Z (500V、5A NPN);

-r3=1k、c1=10nF、以获得大约260mA 的浪涌电流;

- Q1=二极管 DMN10H120SE (100V、6A NMOS)、低侧配置。

 

启动时、问题在于电路未按预期限制浪涌电流。 在大多数情况下、Cout 上的 dV/dt 要么完全受电源阻抗的限制、要么分为两部分:一部分受电源的限制、另一部分受 R3和 C1值的有效限制。 从一开始、我很少观察到正确的 dV/dt。 我还通过移除 Cout 并意外地为电路供电来发挥作用、但没有任何变化。 这种情况似乎只能通过在 Q2基极和 GND 之间添加一个1uF 电容器来纠正、但这当然不是一种解决方案、因为这会缩短 OV 保护的响应时间。

 

TPS2400在启动时似乎有问题、这会将 MOSFET 的栅极拉至略高于其阈值、然后再被米勒效应(由 C1提供)吸收。 因此、输出电容器会快速充电至输入电压的一小部分、其余部分将以所需的恒定电流值完成。 为了更加一致、我尝试了 C1 (高达470nF)和 R3 (高达10k)的其他几个值、但问题仍然存在。

 

现在、我暂时解决了添加一个漏极开路低电平有效电压检测器来保持 TPS2400输出低电平、直到电压轻度高于 UV 阈值。 通过这种方式、TPS2400从输出端短接至 GND 开始、并且在开通时从该引脚拉出的(不需要的)峰值电流被转移到 MOSFET 的栅极。 但是、我不喜欢该解决方案、因为它需要的额外组件数量、而且我不知道 TPS2400的输出短路可以承受多长时间、尽管它内部具有低电流源。 另一种解决方案可能是移除(C1、R3)并使用 Q1驱动 Infineon ITS4140N 等负载开关以执行浪涌电流限制。 但我仍然希望 TPS2400自行管理所有内容。

 

上述行为是否正常? 您建议做什么?

 

提前感谢您、

Simone

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    Simon、

    我认为、UV 跳闸后的输入 dv/dt 会对 C1//CRSS 和 CGS 造成影响、从而在栅极创建阻抗分压器、从而有效地在 Vin 稳定之前抵消5uA 电流源。 结果是 VDS 更快导通、直至 Vin 上升到稳定值。 除了 C1之外、您可能还必须添加一个 CGS。 我想您正在寻找的是 C1//CSS 与 CGS 之比、该比值较低、可降低 Q1栅极的有效阻抗分压器(CGS =更高电容=低 Z wrt CRRS/C1、对栅极电压的影响最小)。 您还可以尝试降低 Vin 压摆率以降低 dv/dt。

    Brian
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    Brian、

    感谢您的建议、它解决了我的问题。

    为了说明事实、我已经怀疑这个问题可能与 MOSFET 漏极上的突然 dV/dt 以及随后通过 C1//CRSS 在栅极注入电流有关。 但我很快就放弃了它、发现将一个二极管与 C1串联、与漏极的 kathode 方向、没有任何变化。 当然、C1 (10nF)的值在客户需求服务(CRSS)上占主导地位。 只是后来我意识到、在0V 时、CGD 是相当的(约为560pF)。 最终、我通过将一个100nF 电容器与栅极并联来解决这个问题。

    Simone  

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    Simone、

    很高兴听到、总是很好地通过良好的方法解决问题。  

    Brian