您好！
我正在使用 bq24650设计 LiFePO4太阳能电池充电器。 正如标题所述、我需要实现大于8A (最大10A)的电流。 我的当前布局几乎完全是 EVM 板布局的副本、不同之处在于我的组件仅位于 PCB 的一侧。 我的问题是、使用 EVM 布局并使用相同的元件时、充电器能否在保持 MOSFET 处于合理温度的同时提供8A-10A 充电电流？
我已经有一个之前版本的充电器、在充电电流为5A 时、MOSFET 外壳温度上升至84C。 以前的布局采用了一些糟糕的布局技术(电感器焊盘延伸到电感器下方、MOSFET 到使用并行多层导轨连接的电感器跟踪、MOSFET 焊盘连接到散热器等)。 基本上、数据表在第28页上列为布局指南的所有内容都被忽略)。 这让我认为充电器中可能也存在环路稳定性问题。 我测量了 MOSFET 漏极/电感器电压、没有振铃。 我还测量了上升/下降时间、它们与数据表中所示的时间相同。 不过、我在电感器电流中确实看到了一些振铃。 我手动从电感器下方移除了额外的铜、电流振铃显著降低、但 MOSFET 温度仍在上升。
在发送要制造的 PCB 之前、我想知道该设计是否可行、如果可以、是否需要考虑其他因素。 作为一个侧注、我考虑使用 BSC072N03LD MOSFET 而不是 Si7288DP、因为它具有更小的 Rdson 值和更好的 FOM 值。 使用 bq24650数据表中给出的输出电容计算、该 MOSFET 在10A 电流下的功耗应约为1W、而 在 Si7288DP 下的功耗约为2W。
再说一次、我要设计的可能性是否甚至可以、是否需要使用单个 MOSFET 而不是双 MOSFET 封装(或甚至使用两个并联 MOSFET)、我还需要考虑其他因素吗？
谢谢
