您好！
请参阅下面的我的电路、
我看到 MOSFET 上的高温和最小负载(几瓦)。 当我打开负载时、MOSFET 驱动器会不断变得越来越热、直到它变得太热并关断。
我看到外壳温度为100摄氏度+。
我的应用如下：
输入 PWM 为 CMOS 电平，500kHz，Li 和 HI 之间180度相移，5个死区时间周期(在 fsw)。
电源板连接到4层接地层。 电路板保持在34摄氏度左右。 正是 MOSFET 驱动器升温如此之多。
我可以做些什么来解决这个问题？ 只需增加一些冷却或降低开关速度？
。
它变得比我从计算中得到的温度高得多：
有什么想法吗？
解决了问题。
一段时间后、低侧 MOSFET 会爆炸。 使 MOSFET 驱动器的 HS 对地短路。 这将熔断 MOSFET 驱动器。
通过添加一个与低侧 MOSFET (SS510)并联的外部100V 5A 肖特基二极管来解决该问题。
我有60V 3A 正在运行、没有任何问题。
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我在双向高侧低开关应用中遇到了此驱动器的另一个问题、我将在新主题中发布该问题。
它在30mA 的低电流下失败。
通过二极管修复、我们提高到了120瓦(40V 3A)、没有问题。 下面是我之前保存的示波器图片(无外部二极管)。
PWM 输入：
周期：4.25us (235kHz)
占空比：50%
死区：4个时钟周期
黄色：PWM 高电平
蓝色：PWM LI
紫色：Hb
绿色：HS
这是在30mA 负载下、我认为 VIN 是20V
是39摄氏度
通道1、2、3 2V/div
通道4 10V/div
我可以在明天对所有驱动器的输出进行新的捕获。
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在示波器(使用二极管固定)上、您仍然可以看到接地下方出现振铃。 (在电感器的输入端测量)。 我猜这比地面低得多、在第4季度造成了一些死亡。
我明天将在示波器上展示它。
引脚：探头模式：
黄色：HS X10
蓝色：Lo X10
紫色：HB X10
绿色：HO X10
探头阻抗：1M
占空比50%
负载电流6A
VSUPPLY 30V
我在 Q3和 Q4上并联一个 SS510二极管
一些注意事项：上次我的探头阻抗为50欧姆。 这对驱动器电容器充电有很大影响。
在某些时候、我的 VCC14浸渍并导致 MOSFET 驱动器关闭(这是由于设置错误)
该负载下的温度现在为70摄氏度。 分流电阻器变得如此之热；驱动器和 MOSFET 处于较低的温度下。
已检查 VDD14、它完全符合规格。 未发现干扰。
最后、我在 VDD 和 HB 之间放置了一个外部二极管、该二极管在高达3A+的电流条件下工作正常。 (这是使用刚焊接的芯片)
HS 信号是一种干净的方波信号、就像您对这样的高端驱动器所期望的那样。 比假的好很多
但是、当我将降压转换器的输入电压提高到30V 时、它开始跳过这里和那里的脉冲(您可以听到线圈发出声音)、并且在它死后不会过长。
此时、VCC14完全符合规格。
这必须是错误的批次权限？ 我无法想象这是正确的。
注意 D3和 D4未在电路板上。
