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[参考译文] CSD17573Q5B：MOSFET 源极端子在关断时的残余电压

admin
Guru**** 2399305 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD17573Q5B

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/596579/csd17573q5b-residual-voltage-on-the-mosfet-source-terminal-when-it-s-turned-off

器件型号：CSD17573Q5B

 您好！

 

客户 注意到、当 MOSFET 源极端子关断且振幅随温度升高时、在该端子上测量到残余电压、如下表所示。

 

 

以下是客户的电路、栅源极端子通过10M 电阻器连接、在关断状态下、栅极端子通过2K 电阻器接地。 漏极连接到8V 电池、MOSFET 的源极引脚连接到系统侧。

 

 

 

 

我们是否 可以知道 MOSFET VDS 在什么温度下完全击穿？ 请提供建议

 

应用：用于伺服系统备用电源的电池组

客户：在 TW 中

使用 CSD17573Q5B 的放电 MOSFET

 

 

此致、

Brian

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    TI__Guru**** 2399305 points
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    请找到包含温度和部分原理图的 VDS 数据外壳

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    TI__Guru**** 2399305 points
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    Brian、  

    我不确定我是否理解您的问题、但我已将其转发给我们的应用团队。  

    当然、FET 的击穿电压会随温度的升高而增加、但我认为这不是您要问的问题。 只要您保持在 FET 的最大结温下(如果您需要一些裕度、则为150或125deg)、您就应该可以正常工作。  

    我将告诉您我们的应用团队的回应是什么。  

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    TI__Guru**** 2399305 points
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    好的、在与应用人员交谈后、更有意义的是源极节点上的电压问题与通过 FET 的泄漏增加有关。

    泄漏通常会增加、有时会随温度呈指数级增长。 不过、只要您保持在数据表中列出的结温范围内、您就可以正常工作、除非您对所需的泄漏电流和相应的源电压有特定的最低要求。
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    TI__Guru**** 2399305 points
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    您好 Brett、

    感谢您的回复。 请帮助回答以下问题。

    在 D/S 中、Vgs=0V 时的 IDSS=1uA、Vds=24V、25度时的 IDSS=1uA。 125度时的 IDSS 如何？

    在该应用电路中、源极引脚和栅极引脚之间连接了一个10M Ω 电阻器、栅极引脚 Groundig 引脚之间连接了一个10K Ω 电阻器。  IDSS 的电流应流入 10M+2K 欧姆、对吧？   125度时、这些连接的源极引脚电压是多少？

    MOSFET 的源极引脚残余电压在 TA > 70度时必须低于100mV、这是终端客户 HPE 指定的。

    此致、

    Brian  

    此致、

    Brian

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    TI__Guru**** 2399305 points
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    Brian、

    我不想在公共论坛上分享这些数据、请直接向我本人和 Kevin O'Connell 发送电子邮件。  

    但是、如果所有这些电流都流经10Mohm 电阻器、则几乎肯定 IDSS 的指数增加是导致开关节点上电压增加的原因。 此问题只会随温度的升高而增加。