[参考译文] TPS28225：击穿保护

你好、你好、na 78、
我是 TI 的应用工程师、将会回答您的问题。
击穿保护的作用是确保一个输出的栅极驱动信号、例如 UGATE、在另一个输出被启用为高电平之前被确认为低电平。 TPS28225具有自适应击穿保护功能、这会在 UGATE 和 LGATE 开关转换之间产生低值死区时间(典型值为14ns)。
击穿保护确实会在转换之间提供死区时间、因此在某种程度上、这是最小死区时间控制。 通常、死区时间控制会导致死区时间值大于防止交叉传导所需的最小值。
由于 TPS28225击穿保护逻辑使用驱动器输出的状态来控制最小死区时间、因此高阻值栅极电阻器的问题是可以检测到驱动器输出低电平、而 MOSFET 栅源极仍然为高电平。 栅极电阻值较大可能会导致某些 MOSFET VGS 重叠情况。
我将确认 MOSFET VGS 信号和具有所需栅极电阻的开关节点。

此致、
Richard Herring

您好、na 78、

我与 Richard Herring 合作、并关注他的帖子-

 有关预测性(自适应)栅极驱动的应用手册-这与 TPS28225自适应死区时间不同、但有助于理解概念。

栅极充电和放电的电流受栅极电阻器 Rg 的限制。 因此、最好从这里开始、在这方面具有最小的栅极电阻。 此充电/放电电流必须低于驱动器 IC 输出级允许的峰值电流，以确保安全运行。

 栅极电阻器将使用 i=V/R 来限制峰值电流(充电/放电)的值
其中 V= VCC-VEE
R = RDS_ON/OFF + R_GATE 充电/放电

优化 Rg 以降低噪声是一个折衷因素：
栅极电阻的变化将影响(除其他外)功率器件的开关速度、这将对效率和噪声产生影响。 从驱动器 IC 的损耗情况和热性能角度来看，更高的栅极电阻值可能是有益的。 减小栅极电阻器值时需要考虑的是高电流切换过快时产生的 di/dt。 它是增加开关损耗和热性能与降低开关损耗和增加噪声之间的折衷。

将栅极电阻降低得过大会导致峰值栅极电流增大-导通和关断时间将更短、开关损耗将降低。 相比之下、当施加较低的栅极电阻时、开关速度会更快、从而降低开关损耗。 同时、di/dt 和 dv/dt 引起的噪声将随着开关速度的提高而增加。

您使用的是什么 FET？
您的 fsw 是什么？
VCC 和 VEE 是什么？

谢谢、

您好、nana78、

谢谢后续问题的回答、很抱歉也迟到了。

查看此应用手册、了解如何减少开关节点振铃。
www.ti.com/.../slpa010.pdf

为了降低栅极驱动器的噪声、首先要做的最重要的事情是保持仔细的 PCB 布局、以最大限度地减小电路中的寄生环路电感。 降低噪声的最佳方法是了解噪声的来源。 栅极驱动高侧环路中与最常见的高 di/dt 和 dv/dt 需要一个栅极电阻器来减慢导通速度、并防止 HSFET 的硬开关影响、从而限制开关节点上的 di/dt 和 dv/dt。

使用 TPS28225栅极驱动器(速度非常快)时、DS 中需要遵循一些设计过程。 DS (8.2.2详细设计过程)建议使用自举电阻器、缓冲器和输出组件选择来优化响应和热性能。 此外、还有布局指南可让您将驱动器放置在靠近电源开关的位置、从而通过将控制器的栅极电荷功率损耗移到驱动器中来降低控制器的功率耗散和热应力。

谢谢、

您好、nana78、

听起来不错、感谢您的跟进。 我想并希望我能完全回答你的问题。 如果答案是您喜欢的、请"验证答案"。 我将关闭此主题、但是、如果弹出任何其他问题或评论、请随时制作新主题。

谢谢、