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[参考译文] LMG5200：禁用1/2桥中的上部 GaN 器件

admin
Guru**** 2325560 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/596946/lmg5200-disabling-the-upper-gan-device-in-the-1-2-bridge

器件型号：LMG5200

在仅需要较低 GaN 器件的应用中、禁用上部 GaN 器件以实现最低功耗的最佳方法是什么？

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    TI__Guru**** 2325560 points
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    您好、Steve、

    很高兴听到您的声音！

    您可以将 HI 引脚连接至低电平、这将阻止高侧 FET 切换。 您还可以从 HS 到 HB 取下电容器。

    如有任何疑问、请告知我们。
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    TI__Guru**** 2325560 points
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    好的、谢谢-将 HB 短接至 HS 和 SW 是否存在任何问题？

    我们将 Vin 保持悬空-对吧？

    Steve
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    TI__Guru**** 2325560 points
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    您好、Steve、

    HS 已在内部连接到 SW、因此这是可以的。 HB 需要保持浮动。 这会导致问题吗？
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    TI__Guru**** 2325560 points
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    客户只想确保其处于最低功耗模式、而不会存在可靠性问题。