This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/634397/ucc27211-make-high-side-switch-of-synchronous-buck-converter-bidirectional-back-to-back-mosfet
当前应用：
是 SS510。 该电路工作正常。
问题在于、当 MOSFET 驱动器关闭时、Q3的体二极管从 OUT 导通至 IN。 在我们的应用中、这是不可接受的。
理想情况下、我们希望高侧 MOSFET 电路是双向的(背靠背 NMOS)。 但该驱动程序似乎无法处理该问题。 有什么想法和/或建议要这样做？
您好 Thijs、
我是 TI 的应用工程师、将会回答您的问题。 我已经查看过类似的应用以确认背靠背 MOSFET 实现是否正确、但我需要确认这将适用于您的低侧 FET 应用。
我将继续查看此应用、并很快更新您。 在短期内、您可以查看 TPS2411数据表 http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps2411.pdf 中的图18 、看看这是否适用于高侧 MOSFET。
此致、
Richard Herring
驱动低侧 MOSFET 不是问题。 大量解决方案。 现在只关注使高侧1双向。 上述电路是否能够接受类似200kHz 的 PWM？ 上升时间比电流驱动器高10-20倍。 这将对效率产生影响。
以下建议之一是否会简化此过程？
- HV 电压轨是否可以解决问题？
-以不同的方式控制低侧 MOSFET 是否可以解决任何问题？
-隔离式电源是否可以解决任何问题(记住增加的成本和占用空间)？
为了在高侧 MOSFET 上实现反向电流保护、可使用同一高侧驱动器通过共源配置驱动两个 N 沟道 MOSFET。 高侧开关作为正常高侧连接、VIN 连接到漏极、栅极连接到驱动器、源极连接到驱动器 HS 引脚。 反向偏置保护开关与高侧开关共用的源极、栅极与驱动器相连、漏极与动力总成开关节点相连、低侧开关漏极相连。 两个开关都可以在施加常见 VGS 的情况下打开和关闭、但需要考虑开关转换的一些细节、因此、建议使用单独的栅极电阻、以便能够略微调整开通/关断时序。
在导通期间、如果高侧开关在反向偏置开关之前稍微导通、则反向偏置 MOSFET 体二极管的导通时间很短。 如果反向偏置开关首先打开、则不应产生任何后果、因为高侧将关闭。
在关断期间、如果高侧先关断且存在反向偏置情况、则高侧体二极管可能会有一定的导回 VIN、但这应该是一个短时间周期。 如果反向偏置在正常 CCM 运行期间首先关闭、 则驱动器的 HS 引脚 将钳位到接地、而不是低于接地的二极管压降、因为反向偏置开关的体二极管将使低侧开关体二极管的负电压无效； 然而，这不应成为一个关切问题。
一个问题是、在您期望的反向偏置条件下、低侧开关的漏极钳位是什么？ 如果动力总成开关节点未钳位 到输入端、则可能需要使用缓冲器或钳位来限制电压。
e2e.ti.com/.../Visio_2D00_App-diagram_5F00_bidirectional.pdf
