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[参考译文] BQ34Z100-G1：什么阻止数据闪存写入？

admin
Guru**** 2358920 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100, BQSTUDIO
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/635177/bq34z100-g1-what-prevents-data-flash-memory-writes

器件型号：BQ34Z100-G1
主题中讨论的其他器件：BQ34Z100、 BQSTUDIO

您好！

我有几个 BQ34Z100无法再写入 数据闪存。  除了正在密封的器件、并且电池电压可能低于 配置->电源->"Flash Update OK Cell Volt"、还有什么可阻止闪存写入？  我不确定、但似乎是在我执行"IT enable"命令后发生的。  如何重新获得对数据闪存写入的控制？

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    TI__Guru**** 2358920 points
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    大家好、Kevin
    您能否发送 bqstudio 寄存器屏幕的屏幕截图、以便我了解可能是什么。
    谢谢
    Onyx
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    TI__Guru**** 2358920 points
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    谢谢 Onyx

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    TI__Guru**** 2358920 points
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    大家好、Kevin
    您需要清除 FAS 标志。 单击完全访问命令按钮发送完全访问命令、以便能够完全访问监测计。 请注意、一旦您密封测量仪表、您永远不能返回到未密封的状态。 如果您取消密封、发送 RESET 或 IT ENABLE 命令将再次密封监测计。
    谢谢
    Onyx
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    TI__Guru**** 2358920 points
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    请查看主题：
    e2e.ti.com/.../2344374

    Kevin
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    TI__Guru**** 2358920 points
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    已检查并响应。
    谢谢
    Onyx