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[参考译文] LMG3410:LMG3410电感器绕组电容和导通损耗

Guru**** 2325560 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/595614/lmg3410-lmg3410-inductor-winding-capacitance-and-turn-on-losses

器件型号:LMG3410

LMG3410数据表中的图10展示了同样用于导通能量测量的设置。

如果能详细了解 500uH 电感器的绕组电容、以便粗略 估算 其 对  公布 的导通能量数据的贡献、那将是一件有趣的事情。   

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    您好、Luca

    感谢您对 LMG3410的提问和关注。

    电感器的绕组电容由磁芯尺寸、匝数和层数决定。 测试中电感器的电容约为2pF。 请查找环形电感器绕组电容测量链接: g3ynh.info/.../Toroid_selfC.html
    您应该能够为自己的应用测量绕组电容。

    与电感器绕组电容相比、PCB 布局和散热器将向开关节点添加更多的耦合电容、并导致额外的开关损耗。 LMG3410半桥 EVM 的附加耦合电容约为30-40pF、请在应用手册中查找有关电容耦合到开关节点、电源环路电感和热性能的设计折衷的更多信息:
    www.ti.com/.../snoa946.pdf

    如果您有任何疑问、请告诉我。

    此致、
    TED
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    非常有用的答案、谢谢。
    500uH 功率电感器的杂散电容只有2pF 是相当好的。 因此,我感到放心,我可以忽略它对全面开通损失的贡献。
    此致、
    卢卡
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    您好、Luca

     我很高兴您能找到有用的答案、并感谢您关注 TI GaN 产品。

    此致、

    TED