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器件型号：BQ40Z50-R1 主题中讨论的其他器件：GPCRB
大家好、TI 团队
我在项目中使用了 bq40z50r1。 电池组在大约7摄氏度下放电。 然而、RSOC 具有从10%到10%的急剧拐点、不会逐渐下降。 如何 优化数据闪存中的参数？
1) 1)我已通过 GPC 计算更新 RA 表。 但是、我在典型的学习包中没有成功的学习周期。
这是否是问题的问题？
2) 2)随附的是 GPC 报告。 请帮助检查我是否需要优化参数？
e2e.ti.com/.../ATL396686_2D00_report.zip
3 μ s 在） 优化期间、放电率为0.5C。 但是、我需要执行0.8C 放电测试。
那么、 这是可以接受的吗？
BR
陈锦芳
