• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 1 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 60 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS2491：总电荷 FET 较低时的振荡

admin
Guru**** 2341440 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/628905/tps2491-oscillation-with-low-total-charge-fet

器件型号：TPS2491

尊敬的团队：

我们在总 电荷 MOSFET 较低的栅极引脚上遇到振荡。 在栅极/源极之间放置一个1nF 电容器已经解决了室温下的问题。  我们计划在 温度和工艺变化范围内将10nF 电容置于安全侧。 10nF 也在室温下进行了测试。  

我想知道、如果我们有任何数据来确认 需要什么电容来涵盖所有临界情况、 您的经验和建议是什么？

非常感谢

Lutz  

  • 0
    TI__Guru**** 2341440 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Lutz、向您发送电子邮件重复查询：

    振荡可能是由您使用的特定 FET 引起的、可能具有高跨导(Δ Iout/Δ Vgs)和低 Ciss。 确保使用栅极电阻器(建议使用10欧姆至30欧姆)以及添加的 CGS、并且它应保持稳定。 所需的确切值取决于 FET。 如果您发现1nF 工作正常、则应使用10：1的安全裕度。 我会找到低端、可能小于1nF、以供您自己了解。 如果您还没有栅极电阻器，请添加它。 在某些情况下、我们看到这可以自行解决、但我仍会添加一些 CGS。

    Brian