[参考译文] CSD17570Q5B：要了解电流内的热升、需要通过 CSD17570Q5B 体二极管

Eric、
如果不了解热环境的所有细节、就无法准确预测这种情况。 虽然结至外壳热阻抗可通过瞬态热阻抗曲线(图1)估算、但外壳至环境的热阻抗仍然完全未知。

在31A 时、二极管的压降将为0.75V 和0.6V、具体取决于此时的结温。 让我们看看0.75V 的最坏情况、假设 FET 将耗散31A*.75V = 23W。

在这短时间内、我们可以假设大部分热阻抗将是结点到外壳、因为外壳到环境的速度要慢得多(更多
电容)。 因此、如果您需要0.3 (从热阻抗曲线上的1ms 开始)、0.3*0.8degC/W*23W = 5degC/W

我不确定这种方法在热布局中的精确度如何会产生很大影响、但更长的脉冲持续时间更是如此。 也就是说、对于这一单个事件、温升不应非常严重。