[参考译文] BQ51013B：正确计算充电器线圈周围的金属

你(们)好、Frank

线圈变化可能会导致几个问题。

原始线圈为 Vishay iwas -3827EC-50、38.1mm X 26.65mm、低 DCR 0.183欧姆。

新线圈是 Wurth 760308101303、26mm 圆形、具有0.46欧姆的高 DCR。

Wurth 线圈 适用于低功耗、500mA (2.5W)或更低功耗的应用。  Vishay 线圈是一个输出电流较高的良好线圈、输出电流为1A (5W)。

电流限制设置为1A、此时新线圈的 DCR 将成为问题。

另一个问题是线圈尺寸、线圈面积减半。  较大线圈的优势是更好地与 TX 线圈耦合、并屏蔽 RX PCB 上的一些金属。  

RX 和 TX 线圈之间的线圈耦合因子(k)将影响效率和 FOD。  在高耦合因子与低耦合因子之间、 TX 将为相同的 RX 输出功率生成更小的磁场。  克服低耦合因子的更大磁场的缺点是、线圈电流增大和磁场增大导致 TX 中的转换损耗增大、从而覆盖更大的面积。  较大的磁场会增加 RX 线圈周围金属中的电流并导致 FOD 问题。

需要注意以下几点：

1) 降低输出电流以减少发热。

2) 可能会在 RX 线圈后面添加屏蔽层、以防止磁场进入 PCB。