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[参考译文] BQ76940:我的板功率 MOSFET 全部损坏

Guru**** 2350610 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/632993/bq76940-my-board-power-mosfet-all-damaged

器件型号:BQ76940

您好!

我已经根据 TI BQ86940和 TI 建议的原理图制作了10 x BMS 演示单元、我在内部对其进行了测试、没有任何问题、然后发送到我们的测试仪、 但遗憾的是、在一些测试后、它们都报告放电输出不测量电压、确认 DSG 电压仍然提供12v、并且 MOSFET 损坏、一些 Beta 测试仪报告它们仅使用电阻器作为负载来测试1A 电流、从而排除高电压尖峰(大速度控制器的电容器)损坏 MOSFET、 和高电流损坏 MOSFET。

有人能帮我回顾一下我的电路吗?DSG 引脚是否可以拉高超过例如20V 的 MOSFET 栅极电压限制?  

老虎

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    如果不充分了解所需的 TR/TF、并联 FET 可能会产生不利影响。

    建议将1MOhm 电阻器减小到大约~250K (RCHG03、RDSG001)、以快速关断 FET。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Vish、

    如果 FET 关断缓慢会发生什么情况? 我的一个测试仪使用电阻器作为负载也会损坏 MOSFET,您有什么想法吗?
    我的 MOSFET IPB054N08N3 TR 为66ns、TF 为10ns。

    请务必提供帮助、因为客户正在等待我的回答。

    老虎