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[参考译文] LMR23630-Q1：引导电阻器

admin
Guru**** 2350430 points
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/632592/lmr23630-q1-boot-resister

器件型号：LMR23630-Q1

您好！

您是否认为与 CBOOT 串联的引导电阻器是一个小寄存器、能够有效抑制该器件的 EMI？

这里的问题是启动寄存器太大可能会混淆稳压器 IC 的控制。

谢谢你。

此致、

Oguri (TIJ 汽车 FAE)

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    TI__Guru**** 2350430 points
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    奥古里-圣、

    您将介绍一种压摆率控制方法。  压摆率控制是降低 EMI 的一种好方法、如 本博客文章中所述。  您的方法是控制高侧 FET 的压摆率、这有助于降低 EMI。

    Sam

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    TI__Guru**** 2350430 points
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    奥古里-圣

    正如 Sam 提到的，CBOOT 电阻有助于降低高侧 FET 的导通速度，从而降低 dv/dt。 它是处理 EMI 的一种影响方式。

    唯一的问题是 BOOT 电阻器的值较大可能会触发 BOOT UVLO，从而可能会禁用高侧 FET 驱动器。
    设计中增加了多少启动电阻器打击器的价值？

    ----阿姆布雷什
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    TI__Guru**** 2350430 points
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    您好、Ambreesh、

    非常感谢。
    电阻器值尚未确定。

    奥古里