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[参考译文] TPS737:多个问题

Guru**** 2348500 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS737, TPS73701DRVEVM-529
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/632966/tps737-several-questions

器件型号:TPS737

大家好

如果我们问 TPS737、您会介意吗?


您是否具有 Tj=-40至125C 的 VFB (内部基准)数据?
数据表显示了 Tj=25C 时的情况。
所以、 有 一个描述 "在工作温度范围(TJ =–40°C 至125°C)内"、所以在 Tj=-40至125C 的情况下、最小值和最大值是平均值吗?


 EN 引脚上是否有内部(弱)下拉电阻?
如果 EN 引脚上有内部下拉电阻、容差大约为±20%?


当 输入电压<输出电压时 、器件是否 会损坏?
我们猜会出现以下情况;
-Case1:VOUT 置位瞬态电压(或浪涌) -> 因此 Vin < Vout
-CASE2:Vin 和 Vout 之间的放电时间差 -> 因此 Vin < Vout
-case3:Vin 异常(短路) -> 因此 Vin < Vout
在所有情况下、我们都注意到器件 会损坏、对吧?


相关的 根据 Vin 和 Vout 之间的插入二极管,  是否可以防止损坏?  
如果我们插入 二极管 Vin 和 Vout、 我们是否应该 担心位置(稳定)?


如果您有 使用 EVM (TPS73701DRVEVM-529)的相位裕度和增益裕度数据、您能否为我们提供参考(包括 Vin、Vout/Iout 条件)?
当然、我们认识到增益裕度足够(至少  超过60度)。


关于 CFB、 响应限制的时间常数是多少?
通常、 我们 应使用小于0.1uF 的 CFB。(在数据表中 、有10nF 的说明。)

 我们感谢您的始终帮助。

此致、

大田松本

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Hirotaka、您好!

    1) 1)该规格涵盖在过温精度规格范围内、总体精度为3%。 这样做的原因是、不仅内部基准会漂移、因此总体精度显示了整个 LDO 的漂移性能。
    2) 2)没有弱下拉电阻、但会有泄漏电流进入使能引脚。 泄漏电流可以是正电流或负电流(取决于它们是从 Vin 流向使能端还是从使能端流向接地端)。
    3) 3)该器件通过将导通器件的体连接接地来提供内置反向电流保护、以及其他一些保护内部电路的方法。 因此、输入电压<输出电压的情况不应损坏该器件。
    4) 4)二极管是多种解决方案之一、不应影响稳定性。 但是、由于该器件具有反向电流保护功能、因此不需要二极管。
    5)大多数 LDO 无法在外部精确测量相位和增益裕度、因为内部补偿站可能会导致无法断开环路(例如内部前馈电容)。 例如、我在另一个 LDO 上测量了 gm 和 pm、并得到了大约200kHz 的交叉频率...但设计噪声和瞬态响应显示实际交叉频率在1-2 MHz 区域、比之前高十倍频。 因此、我的测量结果无效。

    LDO 的最佳稳定性检查是检查负载瞬态并确保几乎没有振铃。 噪声还可以指示、较低的相位裕度将在交叉频率下通过噪声中的强峰值出现。

    6) 6)来自 CFF (有时称为 CFB)的时间常数通常为 TAU = R1||R2 * CFF (在某些情况下缩短为 R1 * CFF)。 通常、将 CFF 保持在或低于100nF、以避免以下详细介绍的其他几个问题:
    www.ti.com/lit/an/sbva042/sbva042.pdf

    此致、
    David