大家好、我们收到了客户关于 TPS65251的问题。 请帮帮我们。
它们不需要保证。 他们会将其用作参考。
- IC 检测到 EN 信号和 IC 开始切换之间的 EN 延迟时间是多少？
他们想要知道最小/典型/最大值。
-对 VIN 施加输入电压与 IC 接受 EN 信号之间是否有任何启动序列要求？ 如果存在任何时序限制(xxus)、您能否提供最小值/典型值/最大值(us)？
你(们)好
感谢您的回答。
还有其他问题。
- IC 检测到 EN 信号后，输出电压上升多长时间？
他们想要知道最小/典型/最大值。
我们测量了 IC、但上升时间存在差距、但您知道原因是什么吗？
*请参阅随附的文档
-当 EN 以 μs Ω 升高时、它们希望获得导通序列和关断序列的波形数据。
此致。
你(们)好，先生
今天 、我仔细检查 了 EVM 上的延迟时间。
查看以下波形、 重新回答您的问题：
EN 放电时间(EC 表中的 TD 参数)。
--> 在每个 Vin 上电期间，EN 信号 只会放电 一次，也就是说， 当 Vin 已经被应用时， 在第一次 EN=HIGH 时就会有 TD 延迟时间，之后切换 EN， 将不会有 TD 延迟时间。
最小值=9.2mSec、典型值=10mSec、最大值=12.4mSec。
(在我的测试中 ，TD 为11mSec，略有变化。)
EN 引脚悬空、当 Vin 加电时、TD delayt 时间=~11mSec。
从 EN=HIGH 到启动开关(Vout 开始上升)的延迟时间。
延迟时间= 4mSec ~ 6mSec。(典型值)-->此 数据在一个 EVM 板上进行了测试，它是典型值，略有差异。
该延迟有10%的变化、因此、
最小值=3.6mSec、最大值=6.6mSec。
已应用 VIN、设置 EN =高电平、Vout 启动存在大约4m~6mSec 的延迟。
你(们)好
您能否提供由 EN 关断的波形？
我们测量了 EN 上拉至 VIN 的启动波形。
如您所见、EN 延迟时间约为20ms。
我们希望确保为什么 IC 需要很长时间才能开始开关。
您能否提供内部时序图？
*请参阅随附的文档
此致
你(们)好，先生
1、下面是禁用波形、一旦 EN=LOW、IC 将停止开关。
2.正如 我在上次答覆中所说。 每次 Vin 上电时、EN 放电延迟时间= 11mSec (Vin 上电时仅对 EN 放电一次)。
EN 延迟时间大约为4~6mSec。
因此总延迟时间大约 为11ms + 6mS =17mS。
我 向 设计 人员询问了较大的 EN 延迟时间、主要包括初始化控制逻辑电路以进行预偏置启动。
下面是供参考的时序图、有预偏置延迟时间、请参阅下面的突出显示部分。
您好！
感谢您的快速支持。
我们将在下星期一再次查看。
我们的 EVM 在 ENx 引脚上具有4.7nF 的电容。
这是否会影响 EN 上拉至 V3V 时的 EN 延迟时间？
您能否提供测试原理图？
储罐。
此致。
您好！
我测量了波形。
请参阅以下图示。
延迟时间约为20ms。
您的波形有一个小间隙。
您可以通过其他 EVM 进行检查吗？
谢谢。
此致。
你(们)好，先生
我 测试另一个新 的 EVM、下面是波形、EN 连接到 V3V、延迟约为17.4mS。
我认为这种差距 是由变化引起的。
