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[参考译文] BQ25570EVM-206:采用 BQ25570-EVM 的射频能量收集

Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25570, MSP430FR5969, BQ25504
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/644338/bq25570evm-206-rf-energy-harvesting-with-bq25570-evm

器件型号:BQ25570EVM-206
主题中讨论的其他器件:BQ25570MSP430FR5969BQ25504

尊敬的 TI 专家:

我正在使用 BQ25570进行射频能量收集电路、以进行电源管理、升压和调节、从而为 MCU 和不同传感器供电。 为了使 BQ25570正常运行、我使用两级电压倍增器(遵循 Karthaus 和 Fischer 拓扑)来校正并初始将接收到的交流电压升高到至少600mVDC、即每周(Vpeak = 100mV)。  

如果没有 BQ25570、升压电压可达到1.2V - 1.8VDC。 频谱分析仪测量的输入功率约为2mW (3dBm)。

现在的问题是、EVM 上的输出电压只能达到1.8V、这不足以使 MCU (MSP430FR5969)和传感器正常运行。 这些器件运行时的最小电压分别为1.9V 和2.6V。 因此、我想将 VSTOR 直接连接到这些器件的电源。

您能否建议 EVM 的任何配置、以便为这些器件生成足够的电压? 非常感谢。

P/S:如果此主题不适合本论坛、请将其放置在更合适的论坛中。 谢谢你。

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    您好 Minh、
    如果您不需要 bq25570上的降压转换器、我建议您切换到 bq25504。 您需要根据器件的最大电压将 VBAT_OV 配置为大约3V。 您当前的 VBAT_OV 编程为什么?

    此致、
    Raheem
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    尊敬的 Raheem:

    感谢您的评论。 现在我只有 BQ25570、因此我必须使用它 T_T

    我使用的是 bq25570 EVM。 VBAT_OV 被配置为4.17V、大约 根据数据表、VBAT_UV 为1.95V。 输出电压设置为1.8V。

    关于降压输出、我认为我需要它。 尽管我认为可以使用 VBAT 为 MCU 供电、但 MCU 需要稳定的电源电压才能实现其长久的使用寿命。

    您认为 MSP430fr5969可以在1.8V 电压下工作吗? 这也是我要问的另一个问题。 我观察到、如果只需要使 LED 闪烁、有时它可以在低于1.8V 的电压下运行、但我需要更复杂的任务。 我的任务是尽可能节省功耗、因此我希望在大多数时间将 MCU 置于睡眠模式、只需针对某些特定任务将其唤醒即可。 但我想、使用传感器(I2C、SPI 接口)的工作会消耗大量的功率和时序、因此我不确定1.8V 是否可以将其唤醒。
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    Minh、
    如果您的 MCU 需要更高的电压、您可以调整 VOUT_SET 以从降压输出获取更高的电压。
    此致、
    Raheem
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    非常感谢 Raheem。 我将尝试此操作并返回结果。