你好
我想在设计中移除同步整流。 我尝试使用半导体库中提供的散射二极管进行替换、但我的输出根本不会达到所需的24V 值?
它实际上位于负侧? 我是否在肖特基二极管参数方面出错? 我只将击穿电压更改为100V、因为我的预期二极管反向电压为75V、最大正向电流为40A。由于额定电流为20A
或者我是否需要更改 PI 值?
还是需要更改 RCD 钳位? 如果是的话? 我该怎么做? 是否有任何参考?
谢谢你
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你好
我想在设计中移除同步整流。 我尝试使用半导体库中提供的散射二极管进行替换、但我的输出根本不会达到所需的24V 值?
它实际上位于负侧? 我是否在肖特基二极管参数方面出错? 我只将击穿电压更改为100V、因为我的预期二极管反向电压为75V、最大正向电流为40A。由于额定电流为20A
或者我是否需要更改 PI 值?
还是需要更改 RCD 钳位? 如果是的话? 我该怎么做? 是否有任何参考?
谢谢你
你(们)好,Samrat
首先、在将 SR 替换为二极管方面根本不会出现任何问题-拓扑"无关"如何实现整流。
用二极管替代 SR 的最简单方法是移除 SR 符号并将二极管置于现在的空位。
请确保二极管的极性与刚才移除的 SR 的极性相同-这可能是问题的原因。
您可以通过简单地移除 SR 栅极驱动器并将 SR 栅极与其源极短接来进行实验-这将使 SR 的运行方式类似于二极管。
RCD 缓冲器不太可能成为您问题的原因、因此我倾向于将它们单独保留、直到您检查上述情况。
请告诉我您的使用方式
Colin
你(们)好,Samrat
将栅极短接至 MOSFET 的源极可关闭 MOSFET 通道。 来自漏极源极的 MOSFET 体二极管仍将工作。
如果您将栅极对漏极短路、则随着 VDS 增加到 MOSFET 阈值电压、MOSFET 通道将导通、MOSFET 将将将源极钳制在阈值电压或接近阈值电压。 在另一个方向上、体二极管将正常工作。
我没有收到图片 -您能否使用“插入文件”(回形针符号)附加图片并重新发布它。
此致
Colin