[参考译文] BQ24259：VBUS 连接识别、BOOST 被启用

嗨、Chris、

因此、对于升压模式、产生的 OTG 电压实际上是在 PMID 引脚上看到的、而不是 VBUS。 因此、负载必须连接到 PMID。

然而、当一个有效的电源连接到 VBUS 时、它们的充电器将退出升压模式。

此致、

Joel H

Joel-

  如果确实如此、这很好、但根据数据表、升压输出位于 VBUS 线上(请参阅下面8.3.1.5中的内容)。 您能否确认升压输出确实在 PMID 线路上、并且当升压处于激活状态(并且没有任何其他连接到 VBUS)时、VBUS 线路上不存在电压？

Chris

8.3.1.5电池升压模式运行该器件支持升压转换器运行、可通过 USB 端口将电池供电给其他便携式设备。 升压模式输出额定电流满足 USB On-The-Go 1A 输出要求。 最大输出电流为1.5A。如果以下条件有效、可启用升压操作：1. BAT 高于 BATLOWV 阈值(REG04[1]设置的 VBATLOWV) 2. VBUS 低于 VBAT + VSLEEP (处于睡眠模式) 3. 升压模式运行被启用(OTG 引脚高电平并且 REG01[5：4]= 10) 4. 除非将 BHOT[1：0]设置为11 (REG06[1：0])以禁用此监控器功能5、否则热敏电阻温度处于升压模式温度监测器阈值范围内。 在升压模式下、升压模式启用延迟30ms 后、该器件采用1.5MHz 升压开关稳压器。 与降压操作类似、该器件在轻负载时从 PWM 操作切换到 PFM 操作、以提高效率。 在升压模式期间、状态寄存器 REG08[7：6]设置为11、VBUS 输出为5V、输出电流可高达1A 或1.5A、通过 I 2C (REG01[0])进行选择。 此外、通过更改 REG06[7：4]中的 BOOSTV 位、该器件可提供4.55V 至5.5V 的可调升压电压。升压运行期间的任何故障、包括 VBUS 过压或过流、将故障寄存器 REG09[6]设置为1并将 INT 置为有效。

嗨、Chris、

它通过 PMID。 我们需要更新该数据表。

此致、

Joel H

Joel-

在升压模式下、RBFET/Q1的状态是什么？ 如果启用、输出是否也在 VBUS 上可用？ 我将其基于功能方框图(数据表中的第8.2节)。

还有什么其他问题是待处理的数据表问题吗？ 是否有用于此部件的开发板(我未在网上看到)。

Chris

嗨、Chris、

我想仅通过 bq24259上的 PMID 撤销我之前关于 OTG 模式的评论。 我正在考虑我们产品线中的不同器件。

实际上、该数据表是正确的。 升压电压由 VBUS 提供。 因此、在升压模式下、Q1处于导通状态。

对于 EVM、我会考虑使用 bq24296M。 它们是引脚对引脚兼容的充电器、性能相似、高达2A。 它们的额定充电电流不同。 您可以 在此处购买。  

此致、

Joel H

Joel-

谢谢、我原来的问题仍然存在："如果 bq24259上启用了升压功能、并且负载被移除/替换为充电源、那么器件如何识别充电源现在存在？ 或者是否需要添加外部电路来实现此目的？"

我假设需要添加外部电路、但最好了解其他情况。

Chris

嗨、Chris、

你是对的。 需要外部电路来实现此更改。

我会考虑使用 bq24295、它仅从 PMID 提供升压电压(即 Q1关断)。 使用此充电器、在 VBUS 处插入有效输入源将禁用升压模式并开始充电。


此致、
Joel H

Joel-

   有关 bq24295的后续问题-如果您愿意、我可以发布新帖子。 给定了除数据表(8.3.3.1)之外的以下内容、如果主机通过 bq24295供电并触发升压模式电池过热保护、则在 BATFET 关断时将禁用主机、对吧？ 因此、在这种情况下、恢复系统的唯一方法是通过 QON 引脚上的转换或插入适配器、对吧？ 这似乎不是一种特别有用的保护模式、因为在大多数应用中、主机将通过 bq24295供电。 。  

'为了在升压模式期间提供电池保护、该器件会监控电池温度是否处于 VBCOLDx 范围内
设置为11、除非升压模式温度被禁用、否则设置为 VBHOTx 阈值。
当温度超出温度阈值时、升压模式和 BATFET 将被禁用、并且
置位 BATFET_Disable 位(REG07[5]位)以减小 PMID 上的泄漏电流。 温度返回到内部时
阈值、主机可以清除 BATFET_Disable 位(REG07[5])或在 QON 引脚上提供逻辑低电平到高电平的转换
以启用 BATFET 和升压模式。"

Chris

Joel-

有关 bq24295的另一个问题。 您能否详细说明 bq24295开发板上电容器的额定电压选择。 我正在尝试了解是否确实需要25V 器件、或者这是否是由于其他原因(25V 器件库存太多等)而实现的。 考虑到这将用于空间受限的设计、如果可能使用较低电压/较小的器件、则使用该器件将是有利的。

Chris

嗨、Chris、

TCOLD/ thot 故障将通过锁存 BATFET 来自动禁用 OTG 模式。

正确的是、QON 或插入适配器是重新启用 BATFET 的唯一方法。

bq2589x 系列和 bq2560x 系列等一些较新的器件在 NTC 故障期间不会关闭 Q4。

关于 EVM 上电容器的额定电压、我们通常选择与充电器本身的绝对最大额定值相当的额定值。 我们永远不知道客户将如何使用演示板、因此我们假设是最坏的情况。 我要说的是、我们通常选择额定电压为电源轨上最大预期电压~2倍的无源器件。 例如、如果您确信 VBUS 只能看到5VBUS (即没有损坏的适配器、独特的电源轨)、则 PMID 和 VBUS 电容器的额定电压可为10V。

此致、
Joel H

Joel-

  谢谢-您能否确认在充电时 BATFET 已关闭、且温度已超出 Vltf 至 Vhtf 范围？ 根据数据表(再次为8.3.3.1)、似乎只有当温度超出范围时才会暂停充电-升压温度故障似乎是导致 BATFET 关断的唯一温度故障。

感谢您的所有帮助！

Chris

嗨、Chris、

没错。 在降压模式下、我们不会闭锁 FET。 我们仅防止充电电流流入电池。 但是、如果充电器进入补充模式、放电不受影响。 因此、VSYS 仍会调节到高于电池电压的水平。


此致、
Joel H