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[参考译文] LM51561H:LM51561H-Q1

Guru**** 2553260 points


请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1178488/lm51561h-lm51561h-q1

器件型号:LM51561H
主题中讨论的其他器件:LM5156

您好!

  我正在尝试使用 LM51561HQPWPRQ1 IC 创建 SEPIC 稳压器配置。 我的输入电压范围为9V 至16V、所需的输出为9V/300mA。

  我已经连接了2个仿真电路、但2个电路之间的唯一区别是 MOSFET p/n 是不同的。 仿真的目的是找出流经电感器的电流、并观察 MOSFET 漏极和源极端子上的电压、以选择合适的器件。  

 当我尝试使用16V 输入进行仿真时、两个电路的输出相同、并且未观察到异常。 但是、当我尝试使用9V 输入进行仿真时、两个电路的输出会不同。 我看到漏源 MOSFET 端子上的电压显著增加、流经电感器的电流更高。 我想知道输出为何会显著变化、因为这将影响 MOSFET 和电感器的选择。 此外、我还想知道观察到的增加值是否是仿真模型问题、我可以忽略这一点。

e2e.ti.com/.../LM5156_5F00_TINA_5F00_2.TSC

e2e.ti.com/.../LM5156_5F00_TINA_5F00_1.TSC

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    您好、Karthik、

    请给我们一些时间来了解您的仿真并查看其中的内容。

    此致、
    Brigitte

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    您好、Brigitte、

      查询是否有任何更新?

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    您好、Karthik、

    我们观察到了您的两个仿真文件之间的差异、但到目前为止、我们还不了解其来源。 我希望差异是仿真问题、而不是真正的电路问题。

    此致、
    Brigitte

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    您好、Karthik、

    您在仿真中观察到的内容也将在真实的硬件中最恰当地可见。
    由于您选择了极高的栅极电阻器(100Ohm)、因此从导通到关断以及从关断到导通的转换时间非常高。

    这将导致此转换期间的高损耗。

    由于 IRFR420的转换时间长且导通阻抗高(3 Ω)、SEPIC 将在电感器和耦合电容器之间转换能量。

    SEPIC 使用耦合因子极高的耦合电感器、可以观察到类似的行为。

    当您将栅极电阻器减小到几欧姆(例如3欧姆)时、您会发现此问题可以解决。

    但仍然保留 了 IRFR420问题、适合在该应用中使用-它与额定电压相比具有非常高的尺寸、而这另一方面会导致非常高的 RDS、ON。

    此致、

     Stefan

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    您好 Stefan、  

     我尝试使用零栅极电阻进行仿真、但问题仍然存在。 那么、我是否可以考虑通过选择具有低 RDS 导通电阻的 MOSFET 来解决此问题?

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    您好、Karthik、

    是的、较低的 RDS (on)应该可以解决该问题。

    此致、
    Brigitte