[参考译文] TPS25990：EFUSE 关断@ 10.8V

您好 、Veeramanikandan、

感谢您的联系。

请按照以下步骤更新 VIN_UV_FLT (59h)寄存器。

1. 通过在10h 寄存器写入0xA2来禁用 WRITE_PROTECT、
2. 在 VIN_UV_FLT (59h)寄存器中写入0x38h、
3. 通过在10h 寄存器写入0x00来启用 WRITE_PROTECT、
4. 读取  VIN_UV_FLT (59h)寄存器并确保其显示为0x38h。

请注意、 只有配置寄存器正在更新、而不是通过上述步骤更新 NVM。 由于 NVM 未更新、因此配置寄存器将在输入电源回收时变为其默认值。  

谢谢、Avishek、  

现在、我们能够更改上述寄存器设置。 但我们需要在 NVM 中执行同样的操作。  您能告诉我们同样的过程吗？

您好 、Veeramanikandan、

请按照以下步骤操作以刻录 NVM。

1) 1)在 VDD 上施加范围介于10V 至13V 之间的电源。 如果通过 RC 滤波器连接 VIN 和 VDD、则需要将电源连接到 VIN。   

2) 2)通过在10h 寄存器写入0xA2来禁用 WRITE_PROTECT、

3) 3)通过选择配置文件的地址、将配置文件导入到要编程的特定器件中的配置寄存器中、

4) 4)读取7Fh 寄存 器并确保 CONFIG_NVM_STAT (位0)未设置为1。

5) 5)发送 STORE_USER_ALL (15h)命令以使用配置寄存器烧录 NVM。

6) 6)通过在10h 寄存器写入0x00来启用 WRITE_PROTECT、

7) 7)读取7Eh 并检查 STORE_FAIL (位2)是0还是1、  

8)执行输入电源回收(VDD 和 VIN)并读取配置寄存器。

尊敬的 Avishek：

NVM 上的写入周期计数是否有任何限制？