[参考译文] CSD97395Q4M：CSD97395Q4M 是否支持降压/升压电路？

你好、Jimmy、

当低侧 FET 导通时、引导电容器充电。
如果 PWM 始终为高电平、则无法为引导电容器充电。 启动电容电压将衰减、高侧 FET 将在一段时间后关闭。

谢谢
钱

您好、钱 Chen、

     感谢您的回复、如果这可以确认 CSD97395Q4M 不支持降压/升压电路？ 如上所述。谢谢！

你好、Jimmy、

正如我所解释的、CSD97395Q4M 无法使高侧 FET 始终保持导通状态、因为高侧栅极驱动的自举电容电压将会衰减。
这可能是 U9的问题、因为 U9的高侧 FET 应在升压模式下保持导通。

谢谢
钱

钱陈

   您可以帮助查看以下问题并提供建议吗？谢谢！

    确认后、客户将此电路 设为降压-升压模式。  

   使用之前分立式器件 IRS2301和 MOSFET 的客户可以正常工作、使用 CSD97395来替代 IRS2301和 MOSFET。

然后软件驱动器保持不变(CSD97395Q4M 仅使用了 DBuck_PWMH 和 DBOOST_PWMH、未使用 DBuck_PWML 和 DBOOST_PWML)

CSD97395使用了相同的软件、但无法正常工作。

   可以采取哪些措施来改进使用 相同软件的 IT 工作正常情况？  

该项目的后续数量为500K/Y、该项目用于汽车无线充电器。

如下所示，古老的风格

你好、Jimmy、

我仔细检查了新原理图和测试波形、看起来 U9SW 不遵循 U9PWM。
1月1日之后、我们将有一位更熟悉此部件的人为您提供支持。

谢谢
钱

你好、Jimmy、

在分立式情况下、您说过仅使用 DBuck_PWMH 和 DBoost_PWMH。  在这种情况下、每个半桥的低侧 FET 永远不会导通。  仅使用体二极管。  对于 CSD97395Q4M、行为将有所不同。  当 PWM 为低电平时、高侧 FET 将像分立式情况一样关断、但低侧 FET 也将导通。  我想这就是您看到两个电路之间行为不同的原因。

此致、

Evan

Evan、

   离散用例 IRS2301使用了4PWM：DBuck_PWMH、DBOOST_PWMH 和 DBuck_PWML、DBOOST_PWML

    CSD97395Q4M 仅使用两个 PWM：DBuck_PWMH、DBOOST_PWMH (软件未更改)

然后

  您能否帮助我们提供一些建议、让 CSD97395Q4M (使用 DBuck_PWMH、DBOOST_PWMH)在降压/升压正常工作？

给出分立式情况 IRS2301的基准正常波形

输入15V，输出10V/5W

CH1：U17 DBuck_PWMH

通道2：U17软件

CH3：U19 DBOOST_PWMH

CH4：U19软件

你好、Jimmy、

感谢您提供波形、我想我现在已经了解了。 我认为问题可能是功率级的 GND 基准。 由于驱动器内置于 CSD97395Q4M 的功率级中、因此需要将 GND 引脚连接到与 PWM 输入相同的接地端。 由于它在您的应用中浮动、因此相对于 IC GND 的 PWM 电平不正确、U9未按预期响应。 这可以通过测量相对于功率级 GND (而非您的系统 GND)的 PWM 来验证。 如果是这种情况、该器件可能不适合该应用。

此致、
Evan

您好 TI 团队、

将电流传感器短路并向 CSD97395Q4M 提供 PWM 和 GND 两条线路、问题仍然存在。

如果添加 PWM 下拉10K 电阻器、则问题得到解决

那么、您能否帮助检查 PWM 引脚添加下拉10K 电阻器是否存在其他问题？ 您的参考设计没有此。


谢谢！