[参考译文] LMG1020EVM-006：脉冲长度的板对板变化、参考设计 TIDA-01573

您好、Rainer、

感谢您提出有关 LMG1020 EVM 的问题。 欢迎使用 e2e！

如果在 LMG1020的 IN+上输入1.5ns-5ns 输入脉冲、则栅极或 VG 探针点上的输出脉冲将约为1.5ns-5ns。 光脉冲的变化可能来自测量方法以及来自 LD 引线的额外环路电感。 建议您尽可能缩短引线长度、以实现更高的峰值电流和纳秒脉冲。

GaN 栅极的上升沿将决定您可以通过 LD 实现的峰值电流大小、该峰值电流由环路电感决定。 GaN 栅极的下降沿取决于1020 OUTL 下拉电阻的内部阻抗、需要该电阻器才能实现精密脉宽、从而实现分辨率。 您能否共享栅极电压的波形、以查看1020的输出脉冲宽度是否与输入脉冲宽度匹配并具有一定的传播延迟？

峰值光学脉冲的下降沿将取决于流经 LD 的峰值电流以及 GaN 能够以多快的速度关闭。 如果您能够测量电流脉冲、那么您必须配备光学峰值功率计-您是否使用 APD 或 PIN 来推断您的峰值电流？

谢谢、

您好、Rainer、

感谢您清晰地解释您的问题。 我了解您对 U3输出变化的要求。 这种变化在高温和1-2ns 脉冲下最为常见、因为缓冲器在这些条件下被驱动到其角落。 我使用2个 EVM 在工作台上对此进行了测试、并附上 了以下结果。

突出显示绿色输入波形中数据的橙色框显示、在高温下(以及未应用 VBUS 的100kHz FSW)、变化范围为1.2ns 至1.45ns、平均值为1.29ns。 这会产生250ps 的变化、但标准偏差仅为27ps。 这是在140C 时、但在室温下、值从1.15到1.35之间的差异略小。  在 U3上具有相似平均输入脉冲的第2个 EVM 上、最小值为1.14ns、最大值为1.28ns、标准偏差更小。 这让我得出结论、变化不会超过100ps、因为我使用2个 EVM 在工作台上测试了20-30ps 的变化。 电阻器电容器脉冲短路器网络的容差也存在变化、这也会产生影响。

这是否有助于回答您的问题？

只是想让你知道在接下来的两周(1月2日)里我是 OOO。 快乐的假期！！！

谢谢、

您好、Rainer、

我希望您能有一个愉快的假期、新年快乐！ 我当然做到了！

-R9/C11在测试过程中出现。 函数发生器上的脉冲宽度为~78ns、以在输入上实现~1.2ns。

-Green = TP8

-Orange = TP4

如果您有任何疑问、请告诉我！

谢谢、

尊敬的 Jeff：

非常感谢您的支持。 很棒的信息

此致 Rainer