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[参考译文] LM5145：是否可以告诉我在 EVM 板上减少高侧栅极振铃的任何对策？

admin
Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5145EVM-HD-20A, LM5145, CSD19531Q5A, CSD19533Q5A
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/754863/lm5145-could-you-please-tell-me-any-countermeasure-to-reduse-high-side-gate-ringing-on-evm-board

器件型号：LM5145
主题中讨论的其他器件： 、CSD19531Q5A、 CSD19533Q5A

 大家好、

  我的一位客户正在使用 LM5145EVM-HD-20A (http://www.tij.co.jp/jp/lit/ug/snvu545a/snvu545a.pdf)评估 LM5145的新产品。

 但他们无法向其分销渠道购买 Infineon 器件 DUT。 因此、它们取代了 EVM 上 Q1的 BSC117N08NS5和 Q2的 BSC037N08NS5

CSD19531Q5A 用于 Q1、CSD19533Q5A 用于 Q2。 此外、它们还会更改 以下 EVM 规格。

EVM 输出电压：5V -> 12.5V。

输出电容：47uF*7 -> 47uF*1。

电感、L2、3.3uF -> 15uF。

开关频率：220kHz -> 370kHz

输入电压：24V

 当它们测量 EVM 的凸极时、该凸极大约为90%。 他们认为它的效率很低。 因此、它们对 Q1和 Q2的栅极电压进行了检查。

因此、他们发现 Q1、CSD19531Q5A (高侧 FET)的栅极电压 在5V 摆幅下振铃约为100ns。   

他们认为高 侧 NMOSFET CSD19531Q5A 由于  具有高速导通/关断特性、无法与 LM5145搭配使用。

 他们想要知道是否不适合将 CSD19531Q5A 用于具有 LM5145的高侧 NMOSFET。

 请您给我们 提供任何意见吗？ 如果您有任何想法、请告诉我们高侧 NMOSFET 的任何 TI NMOSFET 器件型号？

 请您回复。

 此致、

 Kazuya Nakai。

 

 

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    TI__Guru**** 2380860 points
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    大家好、

    我很抱歉。 我忘记告诉您 FET 温度。 高侧 FET、Q1的 CSD19531Q5A 温度约为110C、低侧 FET、Q2的 CSD19533Q5A 温度约为90C。

    此致、
    Kazuya Nakai。
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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好，

    您能不能转发驱动波形。 客户是否还尝试在驱动输出上使用串联电阻来降低 FET 的速度。

    Ambreesh
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    TI__Guru**** 2380860 points
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    您好、Ambreesh、

    感谢您的回复。

    是的、客户尝试在 LM5145输出和高侧 MOSFET 栅极之间插入10欧姆电阻。 然后、栅极电压振铃得到改善、但凸极改善的效果很小。
    您能否告诉我您的电子邮件地址、因为客户不想在 E2E 网站上披露波形？

    再次感谢、致以诚挚的问候、
    Kazuya Nakai。
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    TI__Guru**** 2380860 points
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    ambreesh@ti.com
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    将关闭此主题、因为讨论将继续通过电子邮件进行。

    谢谢。

    David。
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    尊敬的 David：

    感谢您提供信息。

    我可以通过 Ambreesh 支持解决该问题。

    此致、
    Kazuya Nakai。