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[参考译文] BQ25890：EMI 建议文档

admin
Guru**** 2595805 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25890

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/755563/bq25890-emi-recommendation-document

器件型号：BQ25890

您好！

我正在尝试使用 BQ25890解决我们的充电器设计中的辐射 EMI 问题。 我找到了该建议文档 https://e2e.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/bq2589xbq2419x_5F00_29xlayoutandEMIrecommendation.pdf

在第11页中、它提到了"BQ241xx EMI 注意事项"文档。 我可以访问此文档吗？

谢谢。

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    TI__Guru**** 2595805 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Daniel、您好！

    很抱歉，但我不知道这份文件。 如果您有具体问题、我很乐意回答。
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    TI__Guru**** 2595805 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    Daniel：

    您是否有任何 EMI 问题可供我为您解答？
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    TI__Guru**** 2595805 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Jeff、

    在执行以下操作后、  

    VSW 节点处的 RC 缓冲器

    值：(1R3-S3A-0.5W)+(820pF-S2X-50V)

    1nF 旁路：PMID、VBUS、VSYS

    BTST：10欧姆

    VBUS 铁氧体磁珠：120欧姆、0805

    与原始版本相比、我可以看到很多改进。

    我将在接下来的几周内再次进行 EMI 预扫描、以验证缓解措施是否足以满足 FCC B 类限制。

    您还有其他改进建议吗？

    谢谢。

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    TI__Guru**** 2595805 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    很棒！  缓冲器将始终降低 EMI、但会降低效率。   第一个选项是尽可能靠近 PMID 和 GND 的小型0.01-0.1uF 电容器。  如果不起作用、则可以尝试使用与 BTST 电容器串联的电阻器来降低 FET 导通/关断时间、但也会看到效率下降。