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[参考译文] LM5105：具有 CSD87588N FET 的全桥应用

admin
Guru**** 2595805 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD87588N, LM5105, CSD87333Q3D, CSD88584Q5DC, CSD87353Q5D, CSD87334Q3D

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/759107/lm5105-full-bridge-application-with-csd87588n-fets

器件型号：LM5105
主题中讨论的其他器件：CSD87588N、 CSD87333Q3D、 CSD88584Q5DC、 CSD87353Q5D、 CSD87334Q3D

我正在研究将2个 LM5105半桥栅极驱动器用于全桥线圈驱动电路(请参阅原理图)。  对于桥式 FET、我将查看 CSD87588N 双 N 通道器件。  该电路的一些参数如下所示。

  • VDD 和电桥电源电压= 14V
  • PWM 输入= 327kHz (0 - 100%占空比)
  • 输出驱动波形=正弦波
  • H 桥负载= 22uH 至160uH 绕线铁氧体磁芯电感
  • H 桥电流= 18A 峰间电流
  • H 桥功率耗散= 1.5W
  • 此电路用于生成交流磁波形

问题

  1. 哪些因素决定您是否需要添加可选的外部自举二极管？
    1. 内部二极管的正向压降相当高。  如果电路板上还有空间、是否最好添加一个快速低压降外部二极管？

  2. CSD87588N FET 是否是此应用的理想选择？
    1. 我不太熟悉高侧和低侧具有不同规格的双 N 沟道 FET 器件。
    2. 我们目前在类似的 H 桥应用中使用 Vishay Si7218DN 双路 FET、但该器件目前列为 EOL。
  3. 您是否看到使用14V 驱动 CSD87588N FET 栅极的任何问题。  数据表中列出的最大栅极驱动电压(Vgs)仅为16V。

感谢您的帮助-

Scott

  • 0
    TI__Guru**** 2595805 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Scott、

    有关自举问题、请参阅以下文档： www.ti.com/.../snva083b.pdf

    至于您对适用于您的应用的最佳 FET 的问题、请允许我向 FET 组中的一位同事推荐最适合您的应用的器件。
  • 0
    TI__Guru**** 2595805 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Scott、
    感谢您关注 TI 电源块。 CSD87588N 已针对低占空比同步降压转换器应用进行了优化。 因此、高侧和低侧 FET 的尺寸不同。 高侧较小、可更大限度地降低开关损耗；低侧较大、可更大限度地降低传导损耗。 它可能适用于您的应用、但由于功率损耗、性能可能不是很好。 我已检查 Si7218DN 数据表、它使用对称 FET。 以14V 电压驱动 CSD87588N 时不应出现任何问题、因为绝对最大值为20V。 但是、您将不会得到任何更低的 RDS (ON)@ 14VGS、并且会在 LM5105中消耗额外的栅极驱动功率。
  • 0
    TI__Guru**** 2595805 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    感谢您的回复。

    TI 是否提供任何双对称 N 沟道 FET 封装、这些封装可能能够很好地替代即将停产的现有 Si7218DN FET？ 我一直在尝试在低总栅极电荷和低 RDS (on)之间找到平衡。 在327kHz 的 PWM 驱动频率下、我认为将低栅极电荷优先于导通电阻是合理的。 尽管如此、LM5105栅极驱动器的强度可能会使栅极电荷量变得不太重要。 理想情况下、我想找到一个小于 SO-8的双 FET 封装。

    感谢您的帮助-

    Scott
  • 0
    TI__Guru**** 2595805 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Scott、
    CSD87333Q3D 是我们具有对称 FET 的唯一双器件、它可能适用于您的应用。 它采用3.3 x 3.3mm QFN 样式封装。 请注意、对于 FET、VGS 的额定最大绝对值为10V、建议的最大工作电压为8V。 因此、您需要另一个较低的电压、例如5V、以驱动 FET。 我们确实有一个40V (CSD88584Q5DC)和一个60V 电源块(CSD88584Q5DC)具有对称 FET、但它们针对低频(20kHz)电机驱动应用进行了优化、因此是极低 RDS (ON)和高电荷器件。
  • 0
    TI__Guru**** 2595805 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好、Scott、
    对称 FET 的几个其他选项：CSD87334Q3D (3.3 x 3.3mm QFN、30VDS、10VGS)和 CSD87353Q5D (5x6mm QFN、30VDS 和10VGS)。 与另一个选项一样、您将需要以8V 或更低的电压驱动栅极。