• 状态 Resolved
  • 已锁定 已锁定
  • 回复 10 回复
  • 订户 0 订户
  • 视图 426 视图
  • 用户 0 会员在此处
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

[参考译文] TPS62291：熔断内部 MOSFET

admin
Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS62291
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/755493/tps62291-blowing-internal-mosfet

器件型号：TPS62291

您好！

在我的项目中、对于某些传感器和微控制器(最大200mA)、我使用 TPS62291将5V (来自 Raspberry PI 的 USB)或3-4.2V (来自 LiPo 电池)的输入电压转换为3-3.3V。 它工作正常、但在第一个50系列中、两个器件出现故障。 当他们是新员工时、他们就开始工作了。 似乎只是对低侧 MOSFET 进行了熔断、因为在二极管测试范围内、我在 OUT 引脚和 GND 之间测量了75mV。 器件的3.3V 器件在加热并进入过热保护状态之前、持续几秒钟。 更换部件后、两个器件工作正常。

您能告诉我发生此类故障的可能原因吗？ 顺便说一下、其他48个器件已运行数月、没有任何问题。

谢谢你。

  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Wladimir、
    要为您提供支持、我需要一些信息。 是否可以获得您的应用的原理图和布局？ 您进行了哪种类型的测试？ 此外、了解您的测试条件和环境可以为我提供帮助。
  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Alfonso、

    这是具有 TPS62291的器件。 整个原理图要大得多。 电感器(L5)为 Taiyo Yuden CKP32162R2M-T 在3.3V 网络上、PCB 周围有几个1µF μ F 电容器。 标有"DNP"的器件未被组装。

  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！
    我们将查看您的原理图和布局、稍后我将向您介绍。 您能否详细介绍您进行的测试以及相关条件？ 您能否提供测量数据？ 它有助于了解器件的行为。
  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Alfonso：

    测试设备究竟意味着什么？

    当我构建这些器件时、我会使用电池和 USB 输入测试它们的功能。

    我的实验室中没有专用的测试设备、只有示波器和一些万用表。 当这两个器件返回时、我使用为二极管测试设置的万用表在地面上测量了3.3V 网络。 通常(在工作设备上)、读数不小于大约0.7V。 这两个器件的电压为7.5mV -几乎是短路。 拆焊后、我可以确认接地和开关输出之间的电压约为7mV。 在 VIN 和 SW 之间、I 可以测量高侧 FET 的体二极管(480mV)。 因此、我认为、高侧 FET 正常、低侧 FET 会熔断。 焊接新的 TPS62291后、器件正常工作。 这意味着器件的其余部分正常。

  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Wladimir、
    您的原理图和布局似乎正常。 通常、该问题是由开关节点(SW)由于电源或连接测量设备的过压而导致的。 使用 USB 时、可能会通过插入/拔出电源来产生过压。
  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Alfonso：

    在 USB 连接器附近的 VBUS 和 GND 之间有一个5.6V 齐纳二极管(在 Semi 1SMB5919BT3G 上)。 有一个总线保护器(ST Micro ESDALCL62SC6)也可保护 VBUS。

    最后、VBUS 网中有一个1.5A PPTC 保险丝(Bel Fuse 0ZCJ0075AF2E)。

    ESD 是否会导致此故障？

    谢谢你。

  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Wladimir、
    ESD 无论如何都是一个风险。 过压会损坏低侧开关。 这可能发生在不同运行条件下或在更改运行/测试条件期间。 也可以通过处理器件来产生过压应力。
  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    尊敬的 Alfonso：
    您对下一批产品是否有任何建议？ 可能还有其他部分或更多保护？
    谢谢你。
  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好！
    通常使用齐纳二极管或 tvs 二极管作为保护。 我想很好地理解您的问题、但我没有弄清楚任何相关的问题。 焊接过程中对器件的处理或问题可能会导致此故障。 您是否在具有适当 ESD 保护的实验室中工作、例如地板、工作台和鞋子？
  • 0
    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Alfonso：

    这些器件被焊接在一个蒸汽相加热室中、峰值为235°C、单通。 在生产过程中可保证 ESD 保护。 在这种情况下、该器件通过了4kV 接触 ESD 测试。

    我还将在3、3V 网络和 Hope 中添加 TVS 二极管。

    谢谢你。