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器件型号：BQ76920 尊敬的所有人：
目前、调试中存在问题。 放电 MOS DS 与电解吸收关断 DS 峰值并联。 关闭 MOS 放电后、电流缓慢下降、电容器充电。
充电至高电平点后、电容器放电。 此时、电容器返回给电池充电、导致电流变为负值。 当 MOS GS 放电时、它开始振荡。
GS 振荡停止。 GS 的振荡振幅随电流的增加而增加、当电流足够大到特定值时、MOS 关断、GS 振荡将导致爆破机器的 MOS 再传导或放大。
最初的目的是在大于50ms 的时间内关闭 DSG 并关闭 CHG 以避免电流反转、但当硬件触发保护关闭 DSG 时、我还必须读取 SYS_STAT
如果触发了保护、则手动关闭 CHG、但当我关闭 CHG 时、速度无法跟上硬件的速度
当振荡已经发生时。(振荡在关闭 DSG 后大约80us 开始)
此外、只要我将读取 SYS_STAT 寄存器的操作放入要读取的中断中、MCU 和 BQ76920之间的通信通常会有错误、BQ_ReadBlock 通常会有 CRC 校验错误、或 BQ769x0IIC_WAIT_Ack 不会接收应答、 SYS_Ctrl2中的 CC_EN 在运行一段时间后将始终自动设置为0。
如果中断仅是设置标志位、则在中断之外读取寄存器是正常的。 但是、它无法跟上硬件关闭 DSG 的速度。
在触发保护时、IC 是否有其他方法同时关闭 DSG 和 CHG？
黄色表示 MOS GS 信号放电
绿色是当前值
蓝色表示放电 MOS DS 信号
上图显示放电流为300A 时、MOS 关断放电(电流小于300A 时不会振荡)。
上面是相应的原理图。 放电 MOS D 极和电池正电极之间反向并联了一个二极管。
