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[参考译文] LM5170-Q1:外部栅极驱动器

Guru**** 2451970 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5170, LM5170-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/756596/lm5170-q1-external-gate-driver

器件型号:LM5170-Q1
主题中讨论的其他器件:LM5170

您好!

我计划在四相配置中使用2个 LM5170。 总功率3kW 12V/48V (每相62、5A)。

我的计划是使用以下 MOSFET (两个并联) IAUT300N10S5N015。 由于 Cin 和总栅极电荷大、我担心 LM5170的内部驱动器无法支持足够的上升/下降时间。遗憾的是、我无法在数据表中找到 LM5170的栅极驱动器能够提供的总功率。 仅给出了4A/5A 的峰值电流。

我的问题如下:

#高侧和低侧栅极驱动器的最大电力输送是多少?

#我能否 通过 将引脚 LO1 用作 外部栅极驱动低侧的信号输入、将外部栅极驱动器 IC 连接到 lm5170?

对于高侧输入、我希望 将引脚 SW1/SW2永久接地、引脚 HB21/HB2永久接地(以 GND 为基准)、并使用引脚 HO1/HO2作为外部栅极驱动高侧的输入。 这是可行的吗?

此致、

Jochen Rohm

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
    您好 Jochen、

    感谢您关注 LM5170-Q1。 栅极驱动器强度由其可提供的峰值电流定义。 峰值电流决定了开关瞬态的速度、以便最大限度地降低开关损耗。 开关瞬态可通过 MOSFET 总栅极电荷 Qg 进行估算:T_t_tog-on = Qg / IPK_on;T_t_turn off = Qg / IPK_off

    我们通常希望将导通和关断瞬态时间限制在100ns 以下、最好是在~30ns 至50ns 范围内、以最大程度地降低开关损耗。

    现在、让我回答您的问题:
    MOSFET 的选择是这样的:需要考虑总 Qg。 您的 MOSFET 足够大、大多数是并联 MOSFET、可实现高功率、从而降低传导损耗。 而较低的 RDS (on)会导致较高的 Qg。 因此、您需要在选择 FET 时进行权衡、以平衡开关损耗和传导损耗、从而将总损耗降至最低。

    根据我有限的经验、对于 LM5170内部驱动器而言、3kW 的四相似乎过度拉伸。 我更愿意推荐6个阶段。

    四相3kW 的另一个问题是功率电感器的可用性。 没有多少供应商提供电感器来支持如此高的功率。

    2.是的、您可以针对高侧和低侧外部驱动器。 您只需确保高侧和低侧之间的死区时间可通过外部驱动器进行控制。

    希望这一点得到澄清、祝您的设计顺利。

    此致、
    应用工程学 Yohao Xi
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    非常感谢您的快速有用响应。 正是我所想的。 因此、我必须使用具有集成死区时间的外部驱动器。 电感器没有问题、因为我已经设计了自己的电感器。 再次感谢您!