[参考译文] CSD17571Q2：如何使用3.3V 信号驱动负载开关的栅极控制

您好 Roger、
感谢您提出问题。 如果您将 CSD17571Q2等 N 沟道 FET 用作高侧负载开关、则需要将栅极驱动至至少比输入电压大4.5V。 由于19V 是电路板上的最高可用电压、因此您需要生成~24V 偏置电压以充分驱动 FET。 这可以使用升压转换器或电荷泵来实现。 或者、您可以使用低侧负载开关并直接从缓冲器的3.3V 输出驱动。 在这种情况下、您需要选择额定 RDS (on)为3VGS 的 FET。

P 沟道 FET 是另一种选择、当然、它更易于驱动。 您需要小心使用这种方法、因为您可以在输入电压的初始应用中获得流经器件的电流、直到栅极电压达到 Vin。

您的要求是什么？ 有许多 TI 负载开关、电子保险丝和热插拔控制器可用于此应用。

尊敬的 John：

感谢您的回答。

在进一步研究了设计选项之后、我决定使用 p 沟道选项更容易。

尽管我没有想到上电时的初始电流。 开关电源轨为+12V 和-12V 稳压器供电。 它们甚至在开始上电之前都有阈值、因此我认为这是可以的。 在构建电路后、我必须检查上电序列和行为。

下面显示了我要介绍的通用 P 沟道设计。

我在最大负载为4A 的情况下切换19V 电压。

我找不到能够满足某些要求的 TI FET。

谢谢、

Roger Perry