[参考译文] LM25069：关于栅极引脚电容对 IC 的影响

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/754132/lm25069-on-the-influence-of-gate-pin-capacitance-on-ic

器件型号：LM25069

您好！

我将向您提出与上一个问题相关的问题。
由于栅极引脚具有大电容、它是否会对 LM25069内部产生压力？

当 GATE 引脚的电容值为1 μF 时、当重复热插拔时、GATE 和 GND 引脚之间会出现短路故障。

正如您在上一篇文章中所说的、我要求客户降低电容值(1nF)。
那么、它似乎不存在短路故障。

我想知道栅极引脚的电容是否与 LM25069栅极引脚的短路故障相关联。
请给我建议。

此致、
YUto Sakai

7 年多前

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2650475 points

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YUto Sakai、您好！

我已经完成了您之前与 Rakesh 的讨论。

您的客户似乎在栅极引脚放置1uF 电容器以实现软启动/转换率开启。这将是持续输出短路条件下的"MOSFET"问题。下面是更详细的说明。

例如、存在持续输出短路。然后、LM25069根据流经感测电阻的电流检测短路。 MOSFET 的栅极立即被控制器通过260mA 下拉电流拉至低电平。您可以理解、栅极电容越高、使用恒流源对其放电的时间就越长。
在栅极被拉至低于 MOSFET 的 Vth 的低电平之前、将有电流流经 FET、电压约为输入电压。这将导致 FET 中的功率耗散。
MOSFET 放电所需的时间越长、FET 损坏的可能性就越大、因为在栅极被拉至低于 Vth 的低电平之前、它将消耗功率。因此、存在一个 FET 可能损坏的问题。控制器- LM25069不会受到影响。

现在、如果您像下面那样放置电路、额外的栅极电容会立即通过 PNP 放电、并确保 MOSFET 的栅极快速放电。

希望这能解答您的问题。

0 admin 7 年多前

TI__Guru**** 2650475 points

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大家好、Praveen-San、

感谢你的答复。
很抱歉让你感到烦扰。

260 mA 恒定电流源是否可能会因放电时间更长而受到某种程度的损坏？

这一次、当1μF μ F 电容器被连接时、LM25069的 GATE 引脚被损坏。
当连接1nF 电容器时、它不会损坏。
我认为电容值有影响、您能确认吗？

此致、
YUto Sakai