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您好！
EVM-002 (GaN)和 EVM-021 (SiC)之间有两种不同的电路设计。 一个是 R22和 R28、另一个是 R9和 C10。 哪种 EVM 设计是正确的？ 或其设计是如何实现的？
你好、Che、
这两种 EVM 设计都是正确的。
1、R22和 R28在两个原理图上的位置变化不应影响 SWS 引脚上的电压、因为1Mohm 阻抗是为了确保在关断状态下 FET 上没有电压。
FB 引脚内部有一个8K 欧姆电阻、外部 C10电容用于提供一个低通滤波器、以消除 FB 电流的纹波。 如果布局足够强、则可能不需要此电容器。 UCC28780数据表的第15页进一步说明了此电容器的使用。
此致、
区域
