[参考译文] BQ25713：关键组件(晶体管/电容器/电感器)尺寸标注。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/752949/bq25713-key-components-transistors-capacitors-inductor-dimensioning

你好。

如果您能了解有关如何使用数据表第10.2节中的公式的一些说明、尤其是第10.2.2.5节(功率 MOSFET)、我将不胜感激。

我的设计具有以下要求(针对最坏情况分析进行了简化)：

输入电压：12V +/- 10%

输出电压：10V 至15V (最坏情况、考虑到10节镍氢电池组的最小和最大电压)

输出功率：总计60W、包括为电池组充电的电流。 因此、Imax = 6A (Vout=10V)、Imax = 4A (Vout=15V)。

关于晶体管、我在电子表格中输入公式时遇到了几个问题(我使用了与 EVM 相同的 FET (CSD17551Q3A)。

1-    Qgd、Qgs、Qg 的值是什么？ I 使用了 FET 数据表中的 Qgd 和 Qg 值以及 Qg @ 6V (VREGN)

2-    什么 Vplt？ 我使用了2.5V、这是基于 FET 数据表的图4和一些应用手册。

3-    什么 Ron 和 ROFF？ BQ25713的数据表中有多个值取决于驱动器输出，因此我采用了我在导通和关断电阻方面发现的最大值分别为7.6和4.6R，并添加到3R (FET 的串联栅极电阻)。

4-    对于动态功率损耗、我使用了最高的 Fswitch、920kHz (对于2.2uH 电感器)

使用这些值、我发现：

    1ton 和 toff ~8ns。

2    Ptop ~1.4W、Vin=12.2V、Vout=15V、Iout=6A (请参阅下面的要求)。

3-    P 底部~0.09W、最坏情况(Iout=4A、

我最初以为吨和吨位被低估了、但 Ptop 对我来说是有道理的。 不过，我想就上述假设提出意见。

关于电容器、我想知道数据表和 EVM 中为 Cin 和 Cout 指示的值有多重要、即4*10uF + 10uF (Cin)和6*10uF。 我提出这一要求的原因是、我将使用陶瓷电容器、即10uF x 25V、1206。 六个降额电容器必须达到大约40uF。 我想知道它是否正常。 此外、仅从稳定性的角度使用陶瓷电容器是否可行？

关于数据表的最后一个注意事项：图 46将电容器显示为 mF 而不是 uF。