[参考译文] LMG3410R070：串联的 LMG

Sam、您好！

感谢您的提问。 为了给您一个简短的答案、简单的串联连接不能保证两个 FET 之间的电压平衡良好、但需要一些有源电压平衡。

器件的相关参数会有所不同、因此 CD 和 CGD 会有所不同。 加上对于电路中的每个 FET、其相关的寄生电感将有所不同。 这会导致一个 FET 的关断速度快于另一个 FET。 因此、两个 FET 之间的分压最终将分开。 一些字面量显示了一些用于平衡电压的栅极驱动技术、但需要在电路中使用额外的元件。

希望这对您有所帮助。

谢谢、此致、
连

尊敬的 Sam：

感谢您的关注。 是的、有一篇弗吉尼亚理工大学的论文谈到了这一点。 "具有 dv/dt 控制器的有源栅极驱动器、用于串联 SiC MOSFET 中的动态电压平衡"。 请访问 IEEE 网站查找。 遗憾的是、我们没有提供任何参考设计来演示此应用。  

由于电容器软充电或中性钳位机制将有助于实现电压平衡、因此三级设计将自动平衡这一点。 人们已经使用我们的 GaN 实现了这一目标。 请查看以下链接以了解更多信息。

training.ti.com/ti-siemens-taking-gan-grid

谢谢你